ВУЗ:
Составители:
x
i
– x
j
>> h. Например, для n > 10
∆
x/h > 10, т.е. в этом случае соседние дислокации, и тем более дис-
локации с большей разницей индексов, взаимодействуют так, как будто они расположены в одной плос-
кости.
Действительно в (12.12) в этом случае можно с хорошей точностью пренебречь слагаемыми (y
i
–
y
j
)
2
, т.е. хвостовую часть дефектов можно заменить плоским скоплением, а форма вершины дефекта и
условия слияния дислокаций будут определяться особенностью взаимодействия небольшого числа го-
ловных дислокаций, для которых
ji
yyy −=∆ сравнимо с
ji
xxx −=∆ .
На рис. 12.13 приведены результаты, показывающие зависимость d от внешнего напряжения
τ
для
трех типов дислокационных скоплений – ГД, СД и АД. Видно, что зависимости для ГД и АД располо-
жены достаточно близко. Это является следствием отмеченного выше хорошего совпадения равновес-
ных положений дислокаций в границах ГД и АД, т.е. ГД можно рассматривать как предельный случай
АД, у которого n
1
>> n
2
(или n
2
>> n
1
).
Сравнивая значения τ для АД и СД (с равным суммарным числом дислокаций в их границах) при d
= 2,41h получаем, что зарождение микротрещин по силовому механизму в АД будет иметь место при
значительно меньших напряжениях (примерно в 1,7 раза).
РИС. 12.13. ЗАВИСИМОСТЬ РАССТОЯНИЯ МЕЖДУ ГОЛОВНЫМИ ДИСЛОКАЦИЯМИ
ОТ ПРИЛОЖЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ:
1 – ГД; 2 – СД; 3 – АД
Выяснялось, зависят ли полученные результаты от числа дислокаций в рассматриваемых дефектах.
Если перестроить зависимость d от
τ
(или W от
τ
) в относительных единицах Dnτ , то полученные точ-
ки, соответствующие различным n для одного и того же вида дислокационного скопления с хорошей
точностью могут быть аппроксимированы единой кривой. В качестве примера на рис. 12.14, а–б приве-
дены графики таких зависимостей для АД. Таким образом, результаты, приведенные на рис. 12.13, мо-
гут быть обобщены на случай других n простой перенормировкой критических напряжений.
а)
3
2
1
d/h
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 170
- 171
- 172
- 173
- 174
- …
- следующая ›
- последняя »
