Дислокационные механизмы разрушения двойникующихся материалов. Федоров В.А - 50 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

товой ориентации [144] с большей в два раза длиной, чем упругие двойники, в предыдущих опытах. Как
и раньше, границы упругого двойника полностью находились внутри кристалла. Развертка исчезнове-
ния такой прослойки представлена на рис. 3.31, б. Нагрузка действовала сверху. После ее снятия про-
изошел разрыв двойника в точке D. Вершина верхней части описала при выходе траекторию DЕ, а ниж-
ней – DF. Соответственно их средние скорости составили ~10 м/с и ~20 м/с.
Нижняя часть разорвавшегося двойника вышла из кристалла с большей скоростью, так как на нее не
действовал индентор, и не было дополнительного сопротивления движению винтовых дислокации со
стороны дефектов, вносимых сосредоточенной нагрузкой.
Эксперименты, проведенные с отдельным упругим двойником, подтверждают возможность проте-
кания механизма исчезновения УКР, предложенного выше на основе анализа движения двойникующих
дислокации при разгрузке кристалла, т.е. каждый из участков АВ и АС на рис. 3.31, а должен быть по-
добен FDЕ на рис. 3.31, б. Для прямого выявления разрыва упругого двойника в процессе исчезновения
УКР необходимо повысить разрешающую способность регистрирующей аппаратуры.
3.9. ОБРАТИМОСТЬ КАНАЛОВ РОЗЕ ВТОРОГО РОДА
На первый взгляд, кажется, что в нарушениях материала – КР2 – едва ли возможно проявление об-
ратимости. Однако при определенных условиях проведения экспериментов она наблюдалась. Для этого
кристаллы кальцита с предварительно полученными в них двойниками сошлифовывались нормально к
одной из плоскостей двойникования, пересекающей ранее созданные двойники. Из препарированного
кристалла выкалывались образцы толщиной 4…5 мм по плоскостям спайности. Со стороны обработан-
ной поверхности статическим нагружением вдавливался стальной сферический индентор в непосредст-
венной близости от стабильной прослойки. Это вызывало зарождение упругого двойника. При дости-
жении им поверхности деформированной зоны начиналось развитие системы параллельных трещин по
спайности
(рис. 3.32, а). Снятие нагрузки приводило к их уменьшению и полному исчезновению (рис. 3.32, б). По-
вторное взаимодействие упругого двойника со стабильным после некоторой временной выдержки вы-
зывало появление новых трещин, положение которых не зависело от прежнего нарушения сплошности
материала (рис. 3.32, в).
а) б)
в)
Рис. 3.32. Обратимость КР2:
а – зарождение УКР2; б – разгрузка кристалла и исчезновение УКР2;
в – повторное нагружение и зарождение УКР2 в новом месте, оставшихся в кристалле после захлопыва-
ния УКР.
50 мкм

Страницы