ВУЗ:
Составители:
двойников аналогично приведенным. Рассмотрим поведение результирующих дислокаций всех че-
тырех групп.
Базисно-пирамидальное взаимодействие I приводит к образованию сидячей дислокации 1/3
t
3]22[4
которая может диссоциировать с общим понижением энергии и образованием скользящей 2/3
t
0]11[2 и
раскалывающей
t
[0001] дислокаций. Так как сидячие дислокации являются стопорами для скользящих,
то такой распад облегчает релаксацию напряжений скольжением.
Взаимодействия группы II энергетически выгодны и дают скользящие дислокации, которые также
способствуют релаксации напряжений в зоне конфликта двойников.
Наибольший интерес с точки зрения зарождения разрушения представляют результирующие дис-
локации III группы
t
[0001] а также аналогичные дислокации, являющиеся результатом диссоциации си-
дячих 1/3
t
3]22[4 Дислокации
t
[0001] являются раскалывающими, способными положить начало образо-
ванию микротрещины [151]. В кадмии же за счет дополнительной плоскости скольжения по пирамиде
первого рода такие дислокации, взаимодействуя с пирамидальными по энергетически выгодной реак-
ции, предотвращают возникновение зародышей микротрещины, порождая при этом базисное скольже-
ние [156]:
1,03,534,53
0]111/3[2]1[0003]111/3[2
ttt
→+ . (4.5.1)
При исследовании розеток сопряжения двойников отмечено, что базисное скольжение интенсивно
развивается в обеих прослойках. Кроме того, в кадмии возможно расщепление раскалывающей дисло-
кации с образованием двойникующей и нестабильной дислокации
t
010]1[ [158, 159], механизм которого
приведен на рис. 4.7:
3,00,047
2
2
3,53
010]1[1]1[10
3(c/a)
3(c/a)
[0001]
ttt
+
+
−
→ . (4.5.2)
Дислокация
t
010]1[ диссоциирует на две скользящие базисные 1/3
t
110]2[ и 1/3
t
20]11[ .
Протеканием реакции типа (4.5.2) объясняется также появление элементов раздвойникования, на-
блюдаемых в эксперименте в материале остаточного двойника и дополнительного двойникования в
матрице (см. рис. 4.4).
Образующиеся по реакции (4.5.2) двойникующие дислокации имеют вектор Бюргерса, ориентиро-
ванный противоположно направлению двойникования остаточного двойника )2110( ]1110[ , что приво-
дит к раздвойникованию материала остаточной прослойки.
1
a
a
3
a
2
a
t2
a
t1
C
t
a
t3
C
(c/a)-3
2
(c/a)+3
2
Рис. 4.7. Схема расщепления дислокаций по реакции (4.5.2) с образованием двойникующей дисло-
кации и нестабильной, диссоциирующей
на две базисные. (a
1
, a
2
, a
3
, c) – система координат матрицы:
),,,(
321 tttt
caaa система координат остаточного двойника
Дислокационные взаимодействия группы IV дают сидячие дислокации с векторами Бюргерса, лежа-
щими в плоскостях двойникования. Вызывая касательные напряжения в плоскостях двойникования,
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 58
- 59
- 60
- 61
- 62
- …
- следующая ›
- последняя »
