Дислокационные механизмы разрушения двойникующихся материалов. Федоров В.А - 61 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

они способствуют зарождению и развитию двойников, возникающих, например, по реакции (4.5.2).
Энергетическая невыгодность некоторых реакций (см. первую реакцию IV группы) компенсируется
развитием двойников, которое приводит к уменьшению общей энергии кристалла [156].
Анализ пирамидально-пирамидального взаимодействия между дислокациями пирамид первого и
второго рода показал, что этот вид реакций практически не наблюдается в кристаллах кадмия. Причи-
ной является или существенное повышение энергии в результате такого взаимодействия или невозмож-
ность образования зоны рекомбинации взаимодействующими дислокациями. Невыполнение одного из
таких условий делает невозможным протекание реакций, несмотря на то, что значения фактора Шмида
в рассматриваемых плоскостях могут быть достаточно велики.
В участках пересечения двойников имеют место дислокационные реакции с участием двойникующих
дислокаций [159]:
0,4
0,047
2
2
4,53
*
]2011[3/2011]1[
3)/(
3)/(
]3121/3[1
t
ac
ac
→
+
−
+
, (4.5.3)
4,0
0,047
2
2
4,53
]2011[3/2]11[10
3)/(
3)/(
13]21/3[1
t
ac
ac
→
+
−
+ (4.5.4)
(индекс t* означает материал атакующего двойника).
В результате приведенных взаимодействий происходит поглощение двойникующей дислокации,
чем, по-видимому, можно объяснить исчезновение двойниковых границ в розетках сопряжения двойни-
ков. Разориентировка кристаллических решеток пересекающихся двойников составляет ~8° (рис. 4.8),
поэтому возникшие после исчезновения границ двойников базисные дислокации легко распространя-
ются в материале обеих прослоек.
Таким образом, анализ дислокационных взаимодействий позволяет объяснить аномальные явления,
сопровождающие пересечение двойников в кадмии при 77 К. Существование скольжения по пирами-
де первого рода при этих температурах способствует устранению сидячих, раскалывающих и двой-
никующих дислокаций. При повышенных температурах преобладающим является скольжение по
пирамиде второго рода [156], в связи с чем существенно изменяется и характер взаимодействия
двойниковых прослоек.
3
1
1
2
РИС. 4.8. СХЕМА ДИСЛОКАЦИОННЫХ РЕАКЦИЙ (4.5.3) И (4.5.4), ВЫЗЫВАЮЩИХ
ИСЧЕЗНОВЕНИЕ ГРАНИЦ ДВОЙНИКА:
1 – материал матрицы; 2 – материал остаточного двойника )2110( ]1110[ ;
3 – материал атакующего двойника
)0121( ]1011[
4.6. КИНЕТИКА ДВОЙНИКОВАНИЯ И
ОБРАЗОВАНИЯ КР2 В ЦИНКЕ
Кинетические характеристики деформации двойникованием представляют интерес как с точки зре-
ния релаксации напряжений, так и их концентрации на фронте деформационной зоны. Кинетика двой-
никования будет определяться, по-видимому, динамическими свойствами двойникующих дислокации,
выявление которых затруднительно для одиночного дефекта [108]. В силу этого обстоятельства обычно
исследуют динамическое поведение дислокационного ансамбля, моделирующего двойник [24, 160], а в

Страницы