ВУЗ:
Составители:
а) б) в)
По второй модели концентрация напряжений, обусловленная выходом динамического двойника на
поверхность, также релаксирует вначале вторичным двойникованием (рис. 6.7). Напряжения сдвига на
поверхности одинаковы для срабатывания четырех систем двойникования: встречных и пересекающих-
ся краевых прослоек (112) ]111[ , )211( [111] и винтовых ламелей (112) ]111[ , )211( [111]. Поэтому ве-
роятность возникновения тех или иных двойников будет определяться условиями для их зарождения и
подрастания. Условия зарождения наиболее благоприятны для пересекающихся краевых прослоек, что
подтверждается их массовым "вторичным" образованием при движении первичного двойника, условия
подрастания – для встречных ламелей (рис. 6.5).
Пересечение или упругий "контакт" вершин первичных и вторичных двойников под поверхностью
вызывает разрушение материала (рис. 6.6, б, в). На возможность зарождения трещины в его поверхно-
стных слоях при взаимодействии с ними изолированного двойника указывалось ранее [25]. Следует,
однако, заметить, что в энергетическом плане изолированной прослойке легче в начале вызвать вторич-
ное двойникование, чем раскол.
Как отмечалось выше, наиболее опасным для зарождения трещин является пересечение вершин
двойниковых ламелей. Однако вероятность такой "встречи" в образце ничтожно мала. Вблизи же по-
верхности возможность упругого "контакта" или пересечения вершин двойников
)211(
и
)121(
значи-
тельно возрастает, что является одной из причин, повышающих опасность приповерхностных областей
как очагов возникновения квазихрупких трещин. Следовательно, в диапазоне температур 77…223 К
двойники (в ряде случаев совместно с включениями) непосредственно ответственны за разрушение
сплава Fe + 3,25 % Si при динамическом растяжении вдоль направления [001].
Рис. 6.7. Образование вторичных двойников (показаны стрелкой)
с поверхности образца; Т = 203 К 30 мкм
6.2. ВЛИЯНИЕ ДВОЙНИКОВ НА ЗАРОЖДЕНИЕ ТРЕЩИН
В СПЛАВЕ Fe + 3,25 % Si В ОБЛАСТИ ТЕМПЕРАТУР 223…273 К
В области температур перехода от квазихрупкого разрыва к вязкому началу разрушения предшест-
вует усиливающееся двойникование в пересекающихся плоскостях (112), )211( и )211( , )121( . Характер
процесса стадийный с последовательным образованием и ростом нескольких пачек двойников. Дли-
тельность развития двойникования возрастает с 15…25 мкс при 223 К до 100…150 мкс при 273 К, а
средняя плотность двойников соответственно с 4…8 мм
–1
до 15…20 мм
–1
[188].
Трещина стартует из сильно сдвойникованной зоны после насыщения образца прослойками. Она
зарождается, как правило [188, 190], в очаге скопления пересекающихся двойников (112) и )211( после
Рис. 6.6. Схемы механизмов
образования квазихрупкой
разрушающей трещины:
а – при взаимодействии двойников,
инициируемых приповерхностным
включением; б, в – при контакте
динамического двойника с
"вторичными" двойниками,
возникшими в результате
взаимодействия двойника с краем
об
р
азца
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 91
- 92
- 93
- 94
- 95
- …
- следующая ›
- последняя »
