Лабораторные работы по основам электроники. Федоров К.А - 11 стр.

       Различают четыре режима работы транзистора, из них                                           зависит от схемы его включения. Различают три основных способа
основным является активный режим работы, в котором переход                                          включения транзисторов в схему в зависимости от того, какой из
эмиттер - база включен- в обратном.                                                                 этих электродов является общим для входной и выходной цепей
       При приложении напряжений между коллектором и эмиттером,                                     транзистора: схема с общим эмиттером, схема с общей базой и схема
а также базой и эмиттером (рис. 3.1 а) потекут токи: базы Iб, эмиттера                              с общим коллектором (рис. 3.2). В данной работе исследуется схема
Iэ, коллектора Iк Эти токи связаны соотношением:                                                    транзистора с общим эмиттером (рис. 3.2а).
Iэ = Iб +Iк
       При работе транзисторов в усилителях необходимо знать
зависимости между изменением этих токов              ∆I при малых
изменениях на ∆Uэб скачком сигнала управления Uэб и Uкб =const.при
пренебрежении переходными процессами в транзисторе, можно
считать, что все токи транзистора изменяются скачком, т.е. ∆Iэ= ∆Iб+
∆Iк
        Для малых значений ∆Uэб цепь с транзистором можно
рассматривать как линейную цепь с одним источником напряжения
                                                                  α
∆Uэб.         Для такой цепи       ∆I k = α ⋅ ∆I Э , ∆ I K =         ∆I = β ⋅ ∆I Б ,
                                                                 α −1 Б
                                            dI К                          ∆I К
        где                         α=                 U КБ = const   ≈          U КБ = const   -
                                            dI Э                          ∆I Э
                                                                                                                                    Рис. 3.2
дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера;                                                    Схема включения транзисторов: а – с общим эмиттером, б – с
         dI К                     ∆I К                                                              общей базой, в – с общим коллектором.
β=               Uк = const   ≈          U К = const         ,        дифференциальный
         dI Б                     ∆I Б
коэффициент передачи тока базы α = 0,98/0,99, β = 50/100.                                           Для графического расчета усилительных устройств на транзисторах
Коэффициент α и β являются параметрами плоскостных биполярных                                       необходимы семейства их вольт-амперных характеристик. На
транзисторов.                                                                                       рисунке 3.3. приведены такие свойства вольт - амперных
      Заметим, что при высоких частотах вышесказанное допущение                                     характеристик для триода, включенного по схеме с общим
несправедливо и поэтому выражения для коэффициентов α и β также                                     эмиттером. Первое семейство характеристик - зависимость между
неверны.                                                                                            током и напряжением во входной цепи транзистора Iб=f1(Uбэ),
     Связь между токами в транзисторе и приложенными                                                которую называют входной или базовой характеристикой
напряжениями выражается вольт- амперными входными и
                                                                                                    транзистора (рис. 3.3. а). Второе семейство характеристик -
выходными характеристиками. Вид характеристик транзистора