Лабораторные работы по основам электроники. Федоров К.А - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВСГУТУ | Улан-Удэ

Составители: 

Рубрика: 

зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и
эмиттером при фиксированных значениях тока базы.
Iк=f
2
(U
кэ
)
Iб=const
,которую называют семейством выходных или
коллекторных характеристик транзистора, (рис. 3.3 6).
Рис 3.3. Волтамперные характеристики транзисторов: а – входные, б -
выходные
Как видно на рисунке 3.3. а, входная характеристика
практически не зависит от напряжения U
кэ
. Выходные ха-
рактеристики (рис. 3.3. б) приблизительно равноудалены друг от
друга и почти прямолинейны в широком диапазоне изменения
напряжения U
кэ
. Таким образом, электрическое состояние
транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером,
характеризуется четырьмя величинами I
б
, U
бэ
, I
к
, U
кэ
. Обычно
независимыми величинами берут I
б
, U
кэ
. Тогда U
бэ
=f
1
(I
б
,U
кэ
). и
I
к
=f
2
(U
кэ
).
Для расчета и анализа устройств с биполярными транзисторами
используют так называемые h-параметры транзистора, включенного с
общим эмиттером. В пределах линейной части характеристик эти h-
параметры могут быть найдены по соответствующим приращениям
токов и напряжений:
h
11э
=∆U
бэ
/∆I
б
при U
кэ
=const (∆U
кэ
=0)
h
12э
=∆U
бэ
/∆U
кэ
при I
б
=const (∆I
б
=0)
h
21э
=∆I
к
/∆I
б
при U
кэ
=const (∆U
кэ
=0)
h
22э
=∆I
к
/∆U
кэ
при I
б
=const (∆I
б
=0)
Параметр h
11э
представляет собой входное сопротивление
биполярного транзистора. Параметр h
12э
- безразмерный коэффициент
внутренней обратной связи по напряжению (h
12э
= 0,002-0,0002).
Параметр h
12э
безразмерный коэффициент передачи тока. Параметр
h
22э
- характеризует выходную проводимость транзистора при
постоянном токе базы. h - параметры транзистора позволяют
достаточно просто создать схему замещения транзистора, в которой.-
присутствуют только резисторы и управляемый источник тока
(рис. 3.4)
Рис. 3.4. 
зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и         общим эмиттером. В пределах линейной части характеристик эти h-
эмиттером         при    фиксированных значениях      тока базы.      параметры могут быть найдены по соответствующим приращениям
Iк=f2(Uкэ)Iб=const,которую называют семейством выходных или           токов и напряжений:
коллекторных характеристик транзистора, (рис. 3.3 6).                                 h11э=∆Uбэ/∆Iб при Uкэ=const (∆Uкэ=0)

                                                                                     h12э=∆Uбэ/∆Uкэ при Iб=const    (∆Iб=0)

                                                                                     h21э=∆Iк/∆Iб при Uкэ=const    (∆Uкэ=0)

                                                                                     h22э=∆Iк/∆Uкэ при Iб=const    (∆Iб=0)

                                                                      Параметр h11э представляет собой входное сопротивление
                                                                      биполярного транзистора. Параметр h12э - безразмерный коэффициент
                                                                      внутренней обратной связи по напряжению (h12э= 0,002-0,0002).
                                                                      Параметр h12э безразмерный коэффициент передачи тока. Параметр
                                                                      h22э - характеризует выходную проводимость транзистора при
                                                                      постоянном токе базы. h - параметры транзистора позволяют
                                                                      достаточно просто создать схему замещения транзистора, в которой.-
                                                                      присутствуют только резисторы и управляемый источник тока
Рис 3.3. Волтамперные характеристики транзисторов: а – входные, б -
выходные                                                              (рис. 3.4)

      Как видно на рисунке 3.3. а, входная характеристика
практически не зависит от напряжения           Uкэ. Выходные ха-
рактеристики (рис. 3.3. б) приблизительно равноудалены друг от
друга и почти прямолинейны в широком диапазоне изменения
напряжения Uкэ. Таким образом, электрическое состояние
транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером,
характеризуется четырьмя величинами Iб, Uбэ, Iк, Uкэ. Обычно
независимыми величинами берут Iб, Uкэ. Тогда Uбэ=f1(Iб,Uкэ). и
Iк=f2(Uкэ).
      Для расчета и анализа устройств с биполярными транзисторами                                  Рис. 3.4.
используют так называемые h-параметры транзистора, включенного с

Страницы