Изучение электронно-дырочного перехода. Фетисов И.Н. - 1 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГТУ им. Баумана | Москва

Составители: 

Рубрика: 

1
Московский государственный технический университет
им. Н.Э.Баумана
И.Н.Фетисов
ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА
Методические указания к лабораторной работе Ф-2а
по курсу общей физики.
Под редакцией Л.К.Мартинсона
Издательство МГТУ им.Н.Э.Бау мана 1999
Описаны основные процессы, происходящие в р-н переходе. Рассмотрены вольтамперные
характеристики диодов из германия и кремния, их зависимость от ширины запрещенной зоны
германия, работа р-н перехода в качестве приемника света (фотодиода).
Для студентов 2-го курса.
                                             1



                   Московский государственный технический университет
                                    им. Н.Э.Баумана



                                        И.Н.Фетисов




                 ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

                    Методические указания к лабораторной работе Ф-2а
                                по курсу общей физики.




Под редакцией Л.К.Мартинсона

Издательство МГТУ им.Н.Э.Баумана 1999




     Описаны основные процессы, происходящие в р-н переходе. Рассмотрены вольтамперные
характеристики диодов из германия и кремния, их зависимость от ширины запрещенной зоны
германия, работа р-н перехода в качестве приемника света (фотодиода).
     Для студентов 2-го курса.

Страницы