Изучение электронно-дырочного перехода. Фетисов И.Н.

Цель работы - ознакомление с физическими процессами в электронно-дырочном переходе (ЭДП), изучение вольтамперных характеристик диодов из германия и кремния и их зависимости от ширины запрещенной зоны полупроводника и температуры, определение ширины запрещенной зоны германия, изучение р-n перехода как приемника света (фотодиода). Описаны основные процессы, происходящие в р-н переходе. Рассмотрены вольтамперные характеристики диодов из германия и кремния, их зависимость от ширины запрещенной зоны германия, работа р-н перехода в качестве приемника света (фотодиода). Приведены описание лабораторной установки и порядок выполнения работы. Подготовлено на кафедре физики МГТУ им. Н.Э. Баумана.