Составители:
Рубрика:
11
крышкой. При снятой крышке их можно осветить лампой с различных расстояний l. Для
точечного источника света освещенность диода E=I/l
2
, где I - си ла света.
Установить небольшое обратное смещение (1 В) и измерить ток фотодиода при закрытой
крышке, т.е. темновой ток I
s
.Затем открыть крышку, включить лампу и измерить обратный ток I
освещенного р-n-перехода. Вычислить фототок I
s
по формуле (10). Измерить I
ф
для 4...6
различных значений l. Минимальное значение l должно удовлетворять требованию, что лампа
остается точечным источником; максимальное должно быть в 3...4 раза больше. По результатам
измерений построить граФическую зависимость I
ф
от 1/l
2
. Убедиться, что эта зависимость близка к
линейной, т.е. фототок в диоде пропорционален освещенности.
СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Савельев И.В. Курс Физики. М.: Наука, 1989. Т.З. 304 с.
2. Калашников С.Г. Электричество. М.: Наука, 1985. 576 с.
3. Бушманов Б.Н., Хромов Ю.А. Физика твердого тела. М.: Высш. школа, 1971. 224 с.
4. Левинштейн М.Е., Симин Г.С. Барьеры. Ы.: Наука, 1987.320 с.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение ................................................................. 2
Электроны и дырки в полупроводниках ..................................... 2
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии ...................... 3
Вольт-амперная характеристика идеального ЭДП ............................. 5
ЭДП в качестве приемника света (фотодиод) ................................ 7
Описание лабораторной установки и порядок выполнения работы .............. 8
Список рекомендуемой литературы .......................................... 10
11
крышкой. При снятой крышке их можно осветить лампой с различных расстояний l. Для
точечного источника света освещенность диода E=I/l2, где I - сила света.
Установить небольшое обратное смещение (1 В) и измерить ток фотодиода при закрытой
крышке, т.е. темновой ток Is.Затем открыть крышку, включить лампу и измерить обратный ток I
освещенного р-n-перехода. Вычислить фототок Is по формуле (10). Измерить Iф для 4...6
различных значений l. Минимальное значение l должно удовлетворять требованию, что лампа
остается точечным источником; максимальное должно быть в 3...4 раза больше. По результатам
измерений построить граФическую зависимость Iф от 1/l2. Убедиться, что эта зависимость близка к
линейной, т.е. фототок в диоде пропорционален освещенности.
СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Савельев И.В. Курс Физики. М.: Наука, 1989. Т.З. 304 с.
2. Калашников С.Г. Электричество. М.: Наука, 1985. 576 с.
3. Бушманов Б.Н., Хромов Ю.А. Физика твердого тела. М.: Высш. школа, 1971. 224 с.
4. Левинштейн М.Е., Симин Г.С. Барьеры. Ы.: Наука, 1987.320 с.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение ................................................................. 2
Электроны и дырки в полупроводниках ..................................... 2
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии ...................... 3
Вольт-амперная характеристика идеального ЭДП ............................. 5
ЭДП в качестве приемника света (фотодиод) ................................ 7
Описание лабораторной установки и порядок выполнения работы .............. 8
Список рекомендуемой литературы .......................................... 10
