ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
18. Выпрямляющий контакт металл-полупроводник в равновесии.
19. Выпрямляющий контакт металл-полупроводник в смещении. Диодная и
диффузионная теории выпрямления.
20. Контакт металл – полупроводник с омическими свойствами. Способы
формирования.
21. Структура и принцип действия биполярных транзисторов.
22. Режимы работы, схемы включения, параметры биполярных транзисторов.
23. Особенности ВАХ, дифференциальные коэффициенты передачи
биполярного транзистора, включенного по схеме ОБ.
24. Особенности ВАХ, дифференциальные коэффициенты передачи
биполярного транзистора, включенного по схеме ОЭ.
25. Малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора.
26. Структура и принцип действия тиристоров.
27. Типы тиристоров. Схемы включения, параметры и ВАХ тиристоров.
28. Эффект поля. МДП-структура.. Поверхностная проводимость.
29. Вольтфарадные характеристики МДП-структуры. Поверхностный варикап.
30. Структура и принцип действия МДП-транзисторов с индуцированным каналом.
31. ВАХ и параметры МДП-транзисторов с индуцированным каналом.
32. Структура и принцип действия МДП-транзисторов со встроенным каналом.
33. ВАХ и параметры МДП-транзисторов со встроенным каналом.
34. Классификация интегральных микросхем.
35. Основные этапы изготовления пленочных, гибридных и полупроводниковых
микросхем.
36. Параметры и характеристики электронных усилителей.
37. Усилитель переменного тока.
38. Усилитель постоянного тока.
39. Операционный усилитель.
40. Дифференциальный усилитель.
41. Основные типы биполярных цифровых ИС (ТТЛ, ЭСЛ).
42. КМОП-логика.
