ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Дополнительная литература
1. Т. Сугано, Т. Икома, Е. Такэиси. Введение в микроэлектронику. /Пер. с
япон. М.: Мир. 1988. 320 с.
2. Технология СБИС: в 2-х кн. / Пер. с англ.; Под ред. С. Зи. М.: Мир. 1986.
Кн. 1, 404 с. Кн. 2, 453 с.
3. У. Тилл, Дж. Лаксон. Интегральные схемы: Материалы, приборы,
изготовление /Пер. с англ. М.: Мир. 1985. 501 с
.
4. Барыбин А.А., Сидоров В.Г. Физико-технологические основы
электроники. СПб.: Изд–во «Лань», 2001. 272 с.
Список учебно-методической литературы, изданной в ТРТУ и
рекомендованной для самостоятельной работы студентов
1. Захаров А.Г. Физические основы микроэлектроники. Учебное пособие.
Таганрог: Из-во ТРТУ. 1999. 221с.
2. Руководство к лабораторным работам по
курсу «Физические основы
микроэлектроники» (Сост. Л.Е. Гатько, С.Л. Дубашев, А.Г. Захаров, И.Н.
Иванищева, Н.А. Кракотец, Е.Е. Нестюрина. Под ред. А.Г. Захарова.).
Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2000.63 с.
3. Методические указания к выполнению индивидуального задания по
курсу «Физические основы микроэлектроники» (Сост. Захаров А.Г.,
Филипенко Н
.А.). Таганрог: Изд–во ТРТУ, 2003. 36 с.
II. Лабораторные занятия – 18 часов
1. Изучение электрофизических свойств
электронно-дырочного перехода 4 часа
2. Исследование поверхностной проводимости
полупроводников 4 часа
3. Изучение режимов работы
биполярного транзистора 4часа
4. Изучение режимов работы МДП-транзистора 4 часа
5. Зачетное занятие 2 часа
Итого 18 часов
