Физические основы электроники. Филипенко Н.А. - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

2. Основы физики полупроводников (7 ч)
Основы зонной теории строения твердых тел. Энергетические уровни
электронов в изолированном атоме. Обобществление электронов в кристалле.
Модель периодического потенциала поля в кристалле. Заполнение зон
электронами и деление тел на металлы, диэлектрики и полупроводники.
Собственные полупроводники. Примесные полупроводники. Понятие о дырках.
Локальные уровни в запрещенной зоне. (2ч., Л [1] с. 48-67; Л [2] с. 113-135).
Статистика носителей заряда в металлах, полупроводниках и
диэлектриках. Статистические закономерности в коллективах частиц.
Распределение Максвелла-Больцмана, Ферми-Дирака. Статистика электронов в
металлах. Статистика носителей заряда в полупроводнике. Концентрация
электронов и дырок в полупроводнике. Положения уровня Ферми и
концентрация свободных носителей заряда в собственных и примесных
полупроводниках. Закон действующих масс. (2ч., Л [1] с. 67-77).
Кинетические явления в полупроводниках и металлах. Проводимость,
подвижность носителей заряда. Зависимость подвижности носителей заряда от
температуры. Дрейфовый ток. Механизмы рассеяния свободных носителей
заряда. Температурная зависимость проводимости в полупроводнике и металле.
Диффузионный ток в полупроводниках. Полный ток в полупроводнике.
Соотношение Эйнштейна. Равновесные и неравновесные носители заряда.
Время жизни. Уравнение непрерывности. Диффузионная длина носителей
заряда. Электропроводность металлов. (3ч.,
Л [1] с. 77-100; Л [3] с. 4-10).
3. Основы физики полупроводниковых приборов, полупроводниковые
приборы (первый модуль -10ч, второй модуль - 6ч)
Контакт двух полупроводников с различным типом проводимости.
Равновесное состояние р-n-перехода. Электронно-дырочный переход при
нарушении равновесия электрическим полем. Вольтамперная характеристика
(ВАХ) р-n-перехода. Пробой p-n-перехода. Барьерная и диффузионная емкость
p-n-перехода.
Импульсные и частотные свойства p-n-перехода.
Полупроводниковые диоды. Маркировка и классификация. Выпрямительные
диоды. Высокочастотные диоды. Импульсные диоды. Стабилитроны.
Туннельные диоды. (4ч., Л [1] с. 114-138; Л [4] с. 73-89; Л [6] с. 39-43).
Работа выхода электронов из металлов и полупроводников. Электронная
эмиссия. Контактная разность потенциалов. Контакт металла с
полупроводником. Барьер Шоттки. Изменение контактного слоя во внешнем
электрическом поле
. Диод Шоттки. (2ч., Л [1] с. 101-113; Л [4] с. 89-95).
Принцип работы биполярного транзистора. Параметры, схемы включения
и ВАХ биполярного транзистора. Типы биполярных транзисторов. (4ч., Л [4] с.
125-155; Л [6] с. 66-78).
Многослойные полупроводниковые структуры и приборы на их основе
(тиристор, динистор, семистор). Свойства, ВАХ, назначение, схемы включения.
(1ч. Л [4] с. 163-167)

Страницы