ВУЗ:
Рубрика:
(распространенного) состояний, переход Андерсона,
плотность состояний в примесной зоне
4. Сильнолегированные
полупроводники
Легирование полупроводников химическими примесями, пре-
дел уровня легирования и предел растворимости химической
примеси; мелкие водородоподобные примесные уровни,
изменение электронного спектра полупроводника при
легировании, иерархия энергий, сильное и слабое легирование
(критерии), хвосты плотности состояний, переход Мотта; изо-
концентрационный переход, кластеры "мелких" примесей и
локальные глубокие состояния
5. Компенсированные
полупроводники
Взаимная компенсация доноров и акцепторов, механизмы
компенсации (образование собственных дефектов, переход
примесного центра в низкосимметричное состояние, перерас-
пределение атомов примеси по анионной и катионной подре-
шеткам), критерий слабой и сильной компенсации,
энергетические диаграммы компенсированных
полупроводников при разной степени компенсации,
сильнолегированные и компенсированные полупроводники,
уровень протекания, экранирование в
компенсированных по-
лупроводниках
6. Облученные полупро-
водники
Образование дефектов при высокоэнергетическом облучении,
типы радиационных дефектов, изменение свойств
полупроводников при облучении, закрепление (пиннинг)
уровня Ферми при облучении, модели для оценки предельно-
го положения уровня Ферми в облученном полупроводнике
(средняя энергия гибридной связи в модели ЛКАО, модель
кристалла с изотропной энергетической щелью, уровень заря-
довой
нейтральности, амфотерный локальный уровень, наи-
более глубокий уровень), облучение как процесс самокомпен-
сации полупроводника
7. Поликристаллические и
пластически деформи-
рованные полупровод-
ники
Дислокации и их типы, электронная структура дислокаций,
закрепление уровня Ферми в сильнодислокационных образ-
цах. Поликристаллы, электронная структура межкристаллит-
ных границ, перенос заряда в поликристаллах
8. Аморфные полупро-
водники
Способы получения, структурные модели: модель случайной
сетки с увязанными связями (C. Polk), полимерно -
кристаллическая модель (А.А. Лебедев), модель композици-
онного беспорядка, модель случайной сетки с оборванными
связями; энергетические спектры (модели Губанова, Коэна -
Фрицше – Овшинского(КФО)), Мотта-Дэвиса (МД)), щель
подвижности, закрепление уровня Ферми, структурные
дефекты, двухэлектронные состояния, пассивации
(гидрогенизация), легирование, полупроводники типа "Ge" и
"Se", двухэлектронные состояния, центры с отрицательной
корреляционной энергией U
-
, уровень Ферми в полупровод-
нике с U
+
- и U
–
центрами при легировании, практическое ис-
пользование аморфных полупроводников
9. Стеклобразные полу-
проводники
Стеклообразное состояние (определение), метод получения
стекол, критерии стеклования, диаграммы переходов кристалл
- расплав -стекло- (кристалл), структурный критерий
стеклообразования, стекла типа "Ge" и "Se", структура стекол
(модель неправильной непрерывной сетки (В. Захариасен,
