ВУЗ:
Рубрика:
V. Учебно-методическое обеспечение курса
1. Рекомендуемая литература (основная):
1. Сильно легированные полупроводники. В.И. Фистуль. И. "Наука", М. 1967, 415 с.
2. Электроны в неупорядоченных системах. Н. Мотт. И. "Мир", М. 1969, 172 с. (Пер. с англ.
Electrons in disordered structures. N.F. Mott."Advances in Physics (Phil. Mag. Suppl. 16(61),
49 (1967)").
3. Электронные процессы в некристаллических веществах. Н.Мотт, Э.Дэвис., И.
"Мир",М.,1974г
., 472 с. (Пер. с англ. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials. N.F.
Mott and E.A. Davis. "Clarendon Press", Oxford 1971).
4. Физика полупроводников. В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. ."Наука",М.,1977г.,685
с.
5. Электронные свойства легированных полупроводников. Б.И.Шкловский, .Л.Эфрос.,
И."Наука", М.,1979г.,416 с.
6. Электроника дефектов в полупроводниках. Г. Матаре. И. "Мир", М. 1974, 464 с. (Пер. с
англ. Defect Electronics in Semiconductors. H.F. Matare. "Wiley-Interscience", N-Y – London
– Sydney – Toronto 1971).
7.
Электронная теория неупорядоченных полупроводников. В. Л. Бонч-Бруевич и др.,
И."Наука" М.,1981г.,383 с.
8. Аморфные полупроводники. Под ред. М. Бродски. И."Мир", М.,1982г., 419 с.
9. Электронные свойства неупорядоченных систем. А.Г. Забродский, С.А. Немов, Ю.И. Ра-
вич. И. "Наука", С.-Петербург, 2000, 70 с.
10. Сильно легированные
полупроводники (учебно-методическое пособие). В.Н. Брудный. И.
"ТомГУ", Томск, 2001, 14 с.
2. Рекомендуемая литература (дополнительная):
1. W.N. Zachariasen. Theory of the structure of glasses. J. Amer. Chem. Soc. 54(10), 3841-3848
(1932).
2. Основы теории полупроводниковых приборов. Пикус Г.Е. И. "Наука", М. 1965, 448 С.
3. Физико-химические основы легирования полупроводников. В.М. Глазов, В.С. Земсков. И.
"Наука", М. 1967, 371 с.
4. Переходы металл-
изолятор. Н.Ф. Мотт. И. "Наука", М. 1979, 342 с. (Пер. с англ. Metal-
Insulator Transition. N.F. Mott. "Taylor and Francis LTD", London. 1974).
5. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. В.Г. Бару, Ф.Ф.
Волькенштейн. И. "Наука", М. 1978, 288 с.
6. Физика и геометрия беспорядка. А.Л. Эфрос. "Наука", М. 1982, 175 с.
7. Электронная структура твердых тел. У. Харрисон. И. "Мир", М. 1983 Т.1.381
с.,Т.2, 332
с..
8. (Перевод с англ. Electronic Structure and the Properties of Solids. W.A. Harrison. "W.H.
Freeman and Company", San Francisco, 1980).
9. Порядок и беспорядок в мире атомов. А.И. Китайгородский. И. "Наука", М. 1984, 176 с.
10. Электронное переключение в аморфных полупроводниках. С. А. Костылев, В. А. Шкут.,
И."НД", Киев,1978г., 203 с.
11. Физика и применение аморфных полупроводников. А. Меден, М. Шо. И
. "Мир", М. 1991,
670 с. (Пер. с англ. The Physics and Application of Amorphous Semiconductors. A. Madan,
M.P. Shaw.
12. "Acad. Press., INC", Boston - San Diego - N-Y – London – Sydney – Tokyo – Toronto 1988).
13. Физика твердого тела. П.В. Павлов, А.Ф. Хохлов. И. "Высшая школа", М. 2000, 494 с.
Автор:
Брудный Валентин Натанович, д.ф.-м.н., профессор
