Аэрокосмические фотоприемные устройства в видимом и инфракрасном диапазонах. Формозов Б.Н. - 22 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

ственной проводимостью: кремний; германий; сульфид свинца; селенид

свинца; арсенид индия ; антимонид индия.

Для сдвига порога в сторону более длинных волн необходимы мате-

риалы с более узкой шириной запрещенной зоны. Обычным способом

понижения Е

является легирование основного материала другими ма-

териалами (в небольших количествах), а полученные материа лы назы-

ваются несобственными, или примесными.

В несобственных материалах проводимость, по существу определя-

ется лишь одним типом носителя – электронами в материале n-типа и

дырками в материале р-типа.

3.3. Фотовольтаические приемники, или

приемники с p-n-переходом

Фотовольтаический ПИ содержит p-n-переход, образованный в при-

месном полупроводнике (рис. 3.2), где E

– уровень Ферми; N

– концен-

трация акцентеров; N

– концентрация доноров; w – зона объемного

заряда.

На рис. 3.2 на p-n-переход не подано смещения. При подаче обрат-

ного смещения U

см.обр

(рис. 3.3) энергетическая диаграмма видоизме-

няется, а E

оказывается ниже в n-зоне.

Рис. 3.2

hν

Передний

к онтакт

Тыльный

к онтакт

hν