Составители:
44
пассивных радиационных систем охлаждения (РСО). PbS является соб-
ственным полупроводником, поэтому у него η ≈ 25 %.
По аналогичной схеме, с гораздо большими технологическими труд-
ностями может строиться и ТТФЭП на основе фотодиодных матриц.
Ïðèáîðû ñ ïåðåíîñîì çàðÿäà
Существует несколько наименований этих приборов:
– ППЗ – приборы с переносом заряда;
– ПЗС – приборы с зарядовой связью;
– ФППЗ – фотоприемные приборы с переносом заряда;
– ФПЗС – фотоприемные приборы с зарядовой связью.
Бурное развитие этой новой области микроэлектроники, начиная с
1969–70 гг., было подготовлено как "идеологиче ски", так и технологи-
чески. К моменту открытия эффекта переноса заряда вдоль поверхнос-
ти полупроводника уже было достигнуто глубокое понимание физичес-
ких явлений в структурах металл – диэлектрик – полупроводник, слу-
жащих основой ПЗС. Что же касается методов изготовления таких
структур, то они уже были найдены в связи с успешными разработка-
ми БИС на основе полевых транзисторов с изолированным затвором.
Всего две недели потребовалось авторам для преодоления пути
от исходной идеи ПЗС до экс-
периментального образца и
еще три–четыре года до по-
явления в продаже серийных
образцов.
Здесь остановимся, в ос-
новном, на способах построе-
ния комплексированных фото-
приемных устройств (ФПУ),
содержащих ОС, охлаждаемое
ФПУ в оптическом криостате
и систему охлаждения, кото-
рые могут базироваться на са-
молетах, ракетах и КА.
ПЗС-матрицы имеют орга-
низацию, условно показанную
на рис. 6.2.
Секция
накопления
Секция
хранения
Выходной
регистр
Входная
диффизион-
ная область
Out
Рис. 6.2
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- …
- следующая ›
- последняя »
