Составители:
47
мой в качестве мультиплексора, на который поса жена фотодиодная мат-
рица на основе барьеров Шоттки из PtSi – Si
⋅ T
р
≤ 80 К, так как барьер
очень низкий и зависимость темнового тока от Т: U
с
~ (Т
2
), и даже еще
сильнее.
Силицид платины выполняет роль мета лла и образуется в результа-
те термодиффузии после напыления в вакууме Pt на открытые участки
по Si ячеек ПЗС.
Спектральная чувствительность ИК-ПЗС на диодах с барьерами
Шоттки на основе силицида платины простирается от 1,06 мкм (если
облучение приемника вести через кремниевую подложку) до 5,5 мкм
при квантовой эффективности в максимуме спектральной чувствитель-
ности η ≈ 1 %/2–3 мкм.
Ранее приво дили сь типичные значения пороговых потоков на 2,7 мкм
и фоновой облученности при наб людении цели на фоне дневной Земли:
Р
пор
= 5⋅10
–13
Вт/элемент; E
ф
= (1–2)⋅10
–6
Вт/см
2
. При этом ψ = 3–6. При
η = 1,0 % и емко сти потенциальной ямы ячейки ПЗС = 2⋅10
6
е
–
фон
полностью заполняет яму, т. е. сигнал нарастает до U
нас
за t
н
Α
с
≤ 0,1 с.
При этом полезный сигнал может оказаться меньше σ
ш
. Для обнаруже-
ния сигнала с ψ ≥ 3–6 необходимо накопление не на ячейке, а во внеш-
нем ЗУ, имеющем емкость до 25–30 кадров. Если это делать в ре а ль-
ном времени, то будем иметь дело с широкополо сными усилителями,
т. е. они должны быть сверхмалошумящими. На диодах с барьерами
Шоттки на основе силицида иридия η ≈ 1 % в диапазоне 8–12 мкм, но
Т
р
≤ 30–40 К. Реально для обеспечения помехозащищенности линии
ко смиче ской связи (узкополосно сть) необходимо использовать борто-
вой вычислитель на КА.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- …
- следующая ›
- последняя »
