Аэрокосмические фотоприемные устройства видимого и инфракрасного диапазонов. Формозов Б.Н. - 21 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

21
1, 24
,
c
λ=
ϕ
(3.6)
где ϕ измеряется в эВ.
В настоящее время созданы сурьямяно-цезиевые и полупрозрачные фо-
токатоды,квантовый выход которых достигает 10–12 %;
c
λ
цезия составля-
ет 0,65 мкм. У современных фотокатодов
c
λ
несколько больше.
3.2. Фотопроводящие ПИ
В наиболее распространенных ПИ, работающих в ИК-диапазо-
не, используются различные виды внутреннего фотоэффекта в по-
лупроводниках.
К полупроводникам относят электронные проводники, электро-
сопротивление которых при Т = 300 К лежит в пределах от 1⋅10
–2
до
1⋅10
9
Ом⋅см. Таким образом, полупроводники по сопротивлению на-
ходятся между хорошими проводниками (
–6
110
⋅
∼
Ом⋅см) и изолято-
рами (от
14 22
110
до1 10⋅⋅∼
Ом⋅см).
При абсолютном нуле (Т = 0 К) чистые и идеальные кристаллы боль-
шинства полупроводников должны быть изоляторами; их характерные
полупроводниковые свойства обнаруживаются при тепловом возбуж-
дении и наличии примесей или дефектов.
Собственная проводимость. Если исключить область сверхнизких
температур, полупроводники высокой степени чистоты часто обнару-
живают так называемую собственную проводимость, которую следует
отличать от примесной проводимости менее чистых образцов. В связи с
этим введем еще понятие температурной области собственной прово-
димости как области температур, где на электрические свойства полу-
проводника наличие в кристалле примесей существенно не влияет.
На рис. 3.1 показана схема
электронных энергетических
зон, объясняющая возникно-
вение собственной проводи-
мости. При Т = 0 К проводи-
мость отсутствует.
Состояния валентной зоны
заполнены, все состояния
зоны проводимости – свобод-
Пустая зона
проводимости
E
Запрещенная зона
Уровень
Ферми
Заполненная
валентная зона
E
g
Рис. 3.1

Страницы