Аэрокосмические фотоприемные устройства видимого и инфракрасного диапазонов. Формозов Б.Н. - 23 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

3.3. Фотовольтаические приемники, или

приемники с p-n-переходом

Фотовольтаический ПИ содержит p-n-переход, образованный в при-

месном полупроводнике (рис. 3.2), где E

– уровень Ферми; N

– кон-

центрация акцентеров; N

– концентрация доноров; W – зона объемно-

го заряда.

На рис. 3.2 на p-n-переход не пода-

но смещения. При подаче обратного

смещения U

см.обр

(рис. 3.3) энергети-

ческая диаграмма видоизменяется, а E

оказывается ниже в n-зоне.

Вольт-амперная характеристика фо-

товольтаического ПИ, экранированно-

го от падающего излучения, показана

на рис. 3.4 (кривая 1).

Падающее излучение смещает эту кри-

вую в положение 2, появляется фото ЭДС

. Из этих графиков ясно, что при экс-

плуатации такого ПИ положение ра-

обр. см

Рис. 3.3

Рис. 3.2

hν

Передний

контакт

Тыльный

контакт

hν