Материаловедение и материалы электронных средств. Фролова Т.Н. - 15 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

15
C
U
Q = , Кл. (2.3)
Емкость конденсатора с диэлектриком
d
S
С
⋅ε⋅ε
=
0
, Ф, (2.4)
где ε
0
≈ 8,854·10
-12
Ф·м
-1
– диэлектрическая постоянная; S – площадь элек-
тродов, м
2
; d – расстояние между ними, м.
Удельный заряд конденсатора
DE
d
U
S
CU
S
Q
=εε=
εε
==
0
0
, (2.5)
где E = U/d – напряженность электрического поля, В·м
-1
; D – диэлектриче-
ская индукция (смещение), Кл·м
-2
. Так как Q/S = Q
0
/S + Q
д
/S, то
()
PEEEEED +ε=
χ
ε+ε=−εε+ε=
00000
1 , (2.6)
где χ 1−ε= – диэлектрическая восприимчивость диэлектрика; P = ε
0
χE –
поляризованность диэлектрика, Кл·м
-2
. В сильных электрических полях
линейная зависимость между поляризованностью и напряженностью поля
нарушается.
Диэлектрическая проницаемость неоднородных диэлектриков.
Если плоский конденсатор с неоднородным диэлектриком можно рассмат-
ривать как m параллельно соединенных конденсаторов с однородными ди-
электриками, то относительная диэлектрическая проницаемость неодно-
родного диэлектрика
∑
=
=
ε=ε
mi
i
ii
C
1
н
, (2.7)
где
C
i
– объемная концентрация i компонента, m – количество параллельно
расположенных компонентов неоднородного диэлектрика.
Если плоский конденсатор с неоднородным диэлектриком можно
рассматривать как
m последовательно соединенных конденсаторов с одно-
родными диэлектриками, то
∑
=
=
ε=
ε
mi
i
ii
C
1
н
/
1
. (2.8)
Диэлектрическую проницаемость сложных твердых диэлектриков,
представляющих собой смесь химически не взаимодействующих друг с
другом компонентов, при не очень большом различии значений их диэлек-
трических проницаемостей можно определить на основании уравнения 
                                 Q = CU , Кл.                            (2.3)
Емкость конденсатора с диэлектриком
                                        ε ⋅ε⋅S
                                   С= 0           , Ф,                   (2.4)
                                           d
где ε0 ≈ 8,854·10-12 Ф·м-1 – диэлектрическая постоянная; S – площадь элек-
тродов, м2; d – расстояние между ними, м.
      Удельный заряд конденсатора
                          Q CU ε 0εU
                             =        =         = ε 0εE = D ,            (2.5)
                           S      S       d
где E = U/d – напряженность электрического поля, В·м-1; D – диэлектриче-
ская индукция (смещение), Кл·м-2. Так как Q/S = Q0/S + Qд/S, то
                 D = ε 0 E + ε 0 (ε − 1)E = ε 0 E + ε 0 χE = ε 0 E + P , (2.6)
где χ = ε − 1 – диэлектрическая восприимчивость диэлектрика; P = ε0χE –
поляризованность диэлектрика, Кл·м-2. В сильных электрических полях
линейная зависимость между поляризованностью и напряженностью поля
нарушается.
      Диэлектрическая проницаемость неоднородных диэлектриков.
Если плоский конденсатор с неоднородным диэлектриком можно рассмат-
ривать как m параллельно соединенных конденсаторов с однородными ди-
электриками, то относительная диэлектрическая проницаемость неодно-
родного диэлектрика
                                       i=m
                                εн =   ∑ Ci εi ,                         (2.7)
                                       i =1
где Ci – объемная концентрация i компонента, m – количество параллельно
расположенных компонентов неоднородного диэлектрика.
      Если плоский конденсатор с неоднородным диэлектриком можно
рассматривать как m последовательно соединенных конденсаторов с одно-
родными диэлектриками, то
                                 1 i =m
                                   = ∑ Ci / εi .                         (2.8)
                                ε н i =1
     Диэлектрическую проницаемость сложных твердых диэлектриков,
представляющих собой смесь химически не взаимодействующих друг с
другом компонентов, при не очень большом различии значений их диэлек-
трических проницаемостей можно определить на основании уравнения




                                       15

Страницы