Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 35 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

35
другой. Например, если взять
, то из соотношения следует,
что толщина слоя объемного заряда в высокоомной области
значительно больше, чем в низкоомной. Формулы (4.7) и (4.8) с учетом
постоянных для кремния примут вид
da
NN >>
d
kобр
7
N
U
1061,3
ϕ
+
⋅=
l , мкм; (4.9)
обрk
d
4
б
U
N
A100,3C
+
⋅=
−
ϕ
, пФ; (4.10)
для германия
d
kобр
7
N
U
1017,4
ϕ
+
⋅=
l , мкм; (4..11)
kобр
d
4
б
U
N
A104,3C
ϕ
+
⋅=
−
,пФ. (4.12)
При распределении концентрации примесей, близком к
линейному и наблюдаемом в электронно-дырочных переходах,
изготовленных путем диффузии примесей, формулы принимают вид
(
)
,axNNxN
ad
=
−
=
(4.13)
,
12
qa
U
s0
3
обрk
εε
ϕ
l
=+ (4.14)
()
,
U12
qa
AC
3
обрk
2
s
2
0
б
+
=
ϕ
εε
(4.15)
(
)
3
kобрs0
qa
U12
ϕεε
+
=
l , (4.16)

Страницы