Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 37 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

37
кремний алюминия
=2⋅10
a
N
19
см
-3
, галлия =4⋅10
a
N
19
см
-3
, бора
=6⋅10
a
N
20
см
-3
.
По полученным данным строится энергетическая диаграмма по
следующему алгоритму:
1) проводится линия уровня Ферми в высокоомной области
E
fn
;
2) откладывается отрезок E
fn
- E
i
, проводится уровень середины
запрещенной зоны
E
i
;
3) откладывается ширина запрещенной зоны высокоомной
области
E
∆
(при =300 K для германия 0,72 эВ, для кремния 1,1 эВ),
проводятся уровни дна зоны проводимости
E
T
c
и потолка валентной
зоны
E
ν
;
4) откладывается ширина р-n-перехода;
5) проводится уровень Ферми в низкоомной области,
находящийся выше уровня Ферми высокоомной области на величину
;
обр
qU
6) откладывается отрезок
E
i
- E
fp
, проводится уровень середины
запрещенной зоны
E
i
;
3) откладывается ширина запрещенной зоны низкоомной
области
E
∆
, проводятся уровни дна зоны проводимости E
c
и потолка
валентной зоны
E
ν
, при этом границы низкоомной области (в данном
случае p-области) выше соответствующих границ высокоомной
области (n-области) на величину
)qqU(
.
kобр
ϕ
+
При изучении данной темы рекомендуется литература [2,4,5,8,10].
Лабораторное задание
1. Снять зависимость барьерной емкости несимметричного р
+
-n-
перехода на основе кремния от напряжения обратного смещения с
помощью автоматического измерителя емкости. Результаты измерений
свести в табл.4.1.
Таблица 4.1
№
п/п
U
обр.
В С
б
, пФ
С
б
-2
⋅
10
4
, пФ
-2
N
d
, см
-3
l, мкм
2. Построить график зависимости
(
)
обрб
UfC
=
.

Страницы