Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 39 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

39
Теоретическая часть
Рассмотрим процессы в приповерхностной области
полупроводника 3 (рис.5.1) в случае, когда перпендикулярно к его
поверхности приложено внешнее электрическое поле с помощью
металлического электрода 1, отделенного от полупроводника слоем
диэлектрика 2. Такая
структура получила название
металл - диэлектрик-
полупроводник (МДП). В
случае, когда в качестве
диэлектрика используют
окисел полупроводника,
такую структуру называют
МОП
-структурой. gf.
fggfggg. Условимся,
что напряжение
U
Рис.5.1
U - является положительным, если металлическая пластина находится
под положительным смещением относительно омического контакта 4,
и, наоборот,
U отрицательно, если к металлическому электроду
приложено отрицательное смещение относительно омического
контакта.
Идеальную МДП-структуру определим следующим образом:
-при нулевом смещении отсутствует разность энергий между
работами выхода металла и полупроводника;
-заряд, возникающий в структуре при приложении смещения,
состоит из заряда в полупроводнике, и эквивалентного заряда
противоположного знака на поверхности металла,
отделенного от
полупроводника диэлектриком;
-отсутствует перемещение зарядов через диэлектрик при условиях
постоянного смещения, т.е. сопротивление диэлектрика бесконечно.
Энергетическая зонная диаграмма идеальной МДП-структуры при
0U = показана на рис.2, а и рис.2, б для полупроводников -n -и p-типа
соответственно.

Страницы