Физические основы микроэлектроники. Гатько Л.Е - 41 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

41
р -тип
n -тип
а - обогащение
б - обеднение
в - инверсия
дырки
электроны
vc
E,E
i
E
f
E
U>0
U<0
U>0
U>0
U<0
U<0
а
б
в
f М
E
Рис.5.3
()
βϕ
ϕ
expn
kT
q
expnn
0p0pp
=
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
=
, (5.1)
()
βϕ
ϕ
−=
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
−
=
expp
kT
q
exppp
0p0pp
, (5.2)
причем
ϕ
является положительной величиной при изгибе зон вниз
(рис.5.4);
и - равновесные концентрации носителей в объеме
полупроводника;
0p
n
0p
p
kT
q
=
β
. На поверхности концентрации носителей
равны

Страницы