ВУЗ:
Рубрика:
38
3. Построить график зависимости
(
)
обр
2
б
UfC =
−
. Полученный
график является прямой линией. Определить контактную разность
потенциалов
k
ϕ
по точке пересечения его с осью напряжения.
4. Определить распределение концентрации примеси
высокоомной области по толщине p
+
-n-перехода. Для этого по
формулам (4.11) и (4.12) рассчитать
N
d
и l (значение площади p
+
-n-
перехода
S,см
-2
получить у преподавателя), результаты расчетов свести
в табл.4.1
. Построить график зависимости
(
)
lfN
d
=
в логарифмическом
масштабе.
5. Построить энергетическую диаграмму исследуемого р
+
-n-
перехода для заданного напряжения смещения (величина напряжения
смещения указывается преподавателем).
Контрольные вопросы
1. Нарисуйте кривые распределения подвижных носителей тока и
плотности объемного заряда в исследуемом р-n-переходе.
2. Нарисуйте кривые распределения электрического поля и
потенциала в р-n-переходе.
3. Что такое контактная разность потенциалов на р-n-переходе?
4. Сформулируйте
определения резкого и плавного р-n-переходов.
5. Расскажите о физическом смысле барьерной и диффузионной
емкостей р-n-перехода.
6. Каков порядок построения энергетической диаграммы обратно
смещенного р-n-перехода?
Работа №5
Исследование проводимости МДП-структур
Цель работы
Исследование изменения проводимости полупроводника под
действием поперечного электрического поля в структуре металл -
диэлектрик - полупроводник.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- …
- следующая ›
- последняя »
