Итоговая государственная аттестация выпускников по специальности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". Гаврилюк А.А - 32 стр.

Магнитный гистерезис. Зависимость свойств ферромагнетика от температуры.
Магнитострикция Фазовые переходы в твердых телах. Теория фазовых переходов Ландау-
Гинзбурга. Сверхпроводимость. Эффект Мейснера, Теория Бардина – Куппера – Шриффера.
Высокотемпературная сверхпроводимость.

Современные проблемы физики твердого тела. Фуллерены. Углеродные нанотрубки.
Фрактальные структуры. Сверхрешетки. Эффект гигантского магнитоимпеданса и эффект
гигантского магнетосопротивления

Основные этапы развития электроники. Роль материалов в развитии элементной базы
электронной техники. Повышение эффективности и надежности работы электронной
аппаратуры, основные направления ее миниатюризации Классификация интегральных
микросхем по технологическому признаку: полупроводниковые и гибридные микросхемы.
Микросхемы на биполярных и МДП элементах. Цифровые и аналоговые микросхемы.
Интегральные микросхемы малой, средней и большой степени интеграции, сверхбольшие
интегральные микросхемы

Классификация полупроводниковых материалов по составу, внутреннему строению и
свойствам. Собственный полупроводник и собственная электропроводность. Влияние
примесей на электрические свойства полупроводников. Эффект электрического поля в
полупроводниках. Механизмы рассеяния носителей заряда. Температурная зависимость
проводимости.

Кремний и германий, полупроводниковые соединения типа А3В5 Полупроводниковые
соединения А2В6 , А4В6 , карбид кремния: особенности химической связи и внутреннего
строения. Основные физико-химические, электрические и оптические свойства,
закономерности их изменения. Методы очистки, выращивания и легирования
полупроводниковых монокристаллов Поведение примесей и дефектов структуры.
Перспективные применения в электронике. Многокомпонентные полупроводниковые
системы. Изопериодные гетероструктуры и их применение в приборах оптоэлектроники.
Поликристаллический кремний, управление свойствами, применение в интегральных
микросхемах. Гидрогенизированный аморфный кремний. Особенности энергетического
спектра, электрические и оптические свойства. Методы получения и применение в
фотоэлектрических преобразователях.

Неравновесные состояния в полупроводниках. Механизмы и параметры рекомбинации.
Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников. Эффект Холла,
магнетосопротивление    и    термоэлектрические    явления    в     полупроводниках.
Электропроводность в сильном электрическом поле. Изовалентные твердые растворы.
Критерии неограниченной растворимости. Закономерности изменения свойств от состава.

Поляризация диэлектриков, их классификация по видам поляризации. Влияние внешних
факторов на диэлектрическую проницаемость материалов. Линейные и нелинейные
диэлектрики. Электропроводность диэлектриков. Сопротивление изоляции. Влияние
примесей, температуры и влажности окружающей среды на объемную и поверхностную
проводимость твердых диэлектриков. Виды диэлектрических потерь. Основные
характеристики потерь и их зависимость от условий эксплуатации материалов. Пробой
диэлектриков. Понятие об электрической прочности. Механизмы пробоя газов, жидкостей и
твердых диэлектриков. Поверхностный разряд. Электрическая прочность тонких пленок.




                                         32