Итоговая государственная аттестация выпускников по специальности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". Гаврилюк А.А - 33 стр.

Неметаллические проводящие материалы. Аморфные металлы. Металлы высокой
проводимости и контактные материалы. Сплавы высокого сопротивления. Резистивные
металлические пленки. Припои. Тугоплавкие металлы. Электровакуумные сплавы.
Сверхпроводящие металлы и сплавы. Применение сверхпроводников и элементы
криоэлектроники. Оксидные высокотемпературные сверхпроводники.

Активные элементы интегральных микросхем. Биполярные полупроводниковые структуры
интегральных микросхем. Электронно-дырочный (p-п) переход. Распределение
пространственного заряда, потенциала, поля и концентрации носителей заряда в р-п-
переходе. Энергетическая диаграмма. Высота потенциального барьера и контактная разность
потенциалов. Прямое и обратное включение р-n-перехода. Инжекция и экстрация
неосновных носителей заряда. Формула Шокли. Методы формирования и классификация р-
n-переходов

Классификация      полупроводниковых      диодов.     Выпрямительные       плоскостные,
высокочастотные, импульсные диоды: конструктивно-технологические особенности,
электрические свойства. Диоды различного назначения - туннельные диоды, стабилитроны и
стабисторы, диоды Шотки, варикап. Принцип действия, конструкция, свойства, применение.
Структура и основные элементы полупроводникового диода. Вольтамперная характеристика
с учетом падения напряжения на сопротивлении базы. Генерация и рекомбинация носителей
заряда в р-n-переходе. Влияние поверхностных состояний на вольт амперную
характеристику. Лавинный, туннельный и тепловой пробой.
Идеальная структура металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структура). Структура,
принцип действия и схемы включения МДП-транзистора. Транзисторы с индуцированным и
со встроенным каналом. Статические выходные характеристики. Перекрытие канала.
Напряжение насыщения. Уравнения BAX для крутой и пологой частей характеристик.
Характеристики передачи. Влияние температуры на статические характеристики. Пробой
МДП-транзистора. Энергетические диаграммы МДП-структуры в режимах обогащения,
обеднения и инверсии. Пороговое напряжение. Особенности реальных МДП-структур.

Конструктивно-технологические разновидности МДП-транзисторов. Эффекты короткого
канала в МДП-транзисторах. Зависимость порогового напряжения от длины канала и
напряжения на стоке. Особенности статических характеристик короткоканальных
транзисторов. Транзисторы с самосовмещенным затвором. МДП-транзисторы как элементы
интегральных микросхем. Приборы с зарядовой связью (ПЗС)

Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом. Структура и принцип действия.
Статические выходные характеристики и характеристики передачи. Малосигнальные
параметры и эквивалентные схемы. Разновидности полевых транзисторов. Структуры
полевых транзисторов для интегральных микросхем: транзисторы с управляющим p-n -
переходом

Биполярные транзисторы. Структура, принцип действия, схемы включения транзистора.
Энергетическая диаграмма при нормальном включении. Коэффициенты передачи токов
эмиттера и базы. Пробой биполярного транзистора. Комплементарные n-p-n и p-n-p
транзисторы. Составные транзисторы. Многоэмиттерные и многоколлекторные
транзисторные структуры.



                                          33