Анализ линейных активных цепей. Герасимова Г.Н - 16 стр.

                                  ∂ϕ           ∂F
                           G=            ;G =         .
                                 ∂u с .и      ∂u a .k
     Окончательно уравнения имеют вид:
                              I&     &      &
                               1 =0 U 1 +0 U 2 ;

                              I&2 =S U&1 +G U&2 .
Несимметрия матрицы Y – параметров здесь очевидна.
     Для примера укажем здесь часто встречающиеся числовые значения
параметров электронных ламп: S=2...8мА/В, G=10 –4...10 –5 Ом–1.
     Отметим, что поскольку Y12=Y11=0, то четырехполюсник с таким
набором Y – параметров не может характеризоваться ни Z –, ни H –
параметрами.


    2.2. Низкочастотные схемы замещения электронных приборов


     Составим схемы замещения малосигнальных режимов биполярного
транзистора, описываемых приведенными выше линейными уравнениями.
Вариантов схем замещения может быть предложено достаточно много, по
крайней мере, по одной на каждую систему параметров транзистора. На
рис.2.4 приведены его схемы замещения для случаев H –, Y– и Z–
параметров.
     В каждой из них по два зависимых источника, и при необходимости
число схемных моделей можно увеличивать за счет эквивалентного
преобразования    одного   или      обоих      источников.   Очевидно,   если
малосигнальные параметры известны, то можно синтезировать достаточно
большое количество схемных моделей. Однако на практике наиболее
предпочтительной считается так называемая одногенераторная Т –
образная схема замещения, сопротивления ветвей которой топологически
увязаны с соответствующими областями кристалла транзистора: базы – Rб ,
эмиттера – Rэ , коллектора – Rk. На рис.2.5,а представлена такая схема для
случая, когда в качестве общего электрода принят эмиттер.

                                       14