ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
15
Рис.2.4. Схемы замещения биполярного транзистора при описании
его малосигнальных режимов Н – параметрами (а); Y – параметрами (б);
Z – параметрами (в)
Установим связь между Н – параметрами и параметрами схемы
замещения: R
б
, R
э
, R
k
, a. Для этого вначале рассмотрим режим короткого
замыкания со стороны входных зажимов: U
2
=0 (рис.2.5,б). При этом, в
соответствии с уравнениями транзистора, имеем:
&
U
1
=H
11
&
I
1
;
&
I
2
=H
21
&
I
1
.
С другой стороны, из схемы видно:
&
U
1
=R
б
&
I
1
+
&
U
эк
;
&
U
эк
=(
&
I
1
+a
&
I
1
)
RR
R R
э к
э к
+
и, значит
&
U
1
=[R
б
+
RR
R R
э к
э к
+
(1+a)]
&
I
1
,
то есть:
H
11
=R
б
+
RR
R R
э к
э к
+
(1+a).
Рис.2.4. Схемы замещения биполярного транзистора при описании его малосигнальных режимов Н – параметрами (а); Y – параметрами (б); Z – параметрами (в) Установим связь между Н – параметрами и параметрами схемы замещения: Rб, Rэ, Rk, a. Для этого вначале рассмотрим режим короткого замыкания со стороны входных зажимов: U2=0 (рис.2.5,б). При этом, в соответствии с уравнениями транзистора, имеем: U&1 =H11 I& & & 1 ; I 2 =H21 I 1 . С другой стороны, из схемы видно: U&1 =Rб I& & 1 + U эк ; U&эк =( I& & Rэ Rк 1 +a I 1 ) Rэ + Rк и, значит R R U&1 =[Rб+ э к (1+a)] I& 1, Rэ + Rк то есть: Rэ Rк H11=Rб+ (1+a). Rэ + Rк 15
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- …
- следующая ›
- последняя »