Анализ линейных активных цепей. Герасимова Г.Н - 17 стр.

UptoLike

Рубрика: 

15
Рис.2.4. Схемы замещения биполярного транзистора при описании
его малосигнальных режимов Н параметрами (а); Y параметрами (б);
Z параметрами (в)
Установим связь между Н параметрами и параметрами схемы
замещения: R
б
, R
э
, R
k
, a. Для этого вначале рассмотрим режим короткого
замыкания со стороны входных зажимов: U
2
=0 (рис.2.5,б). При этом, в
соответствии с уравнениями транзистора, имеем:
&
U
1
=H
11
&
I
1
;
&
I
2
=H
21
&
I
1
.
С другой стороны, из схемы видно:
&
U
1
=R
б
&
I
1
+
&
U
эк
;
&
U
эк
=(
&
I
1
+a
&
I
1
)
RR
R R
э к
э к
+
и, значит
&
U
1
=[R
б
+
RR
R R
э к
э к
+
(1+a)]
&
I
1
,
то есть:
H
11
=R
б
+
RR
R R
э к
э к
+
(1+a).
            Рис.2.4. Схемы замещения биполярного транзистора при описании
       его малосигнальных режимов Н – параметрами (а); Y – параметрами (б);
                                 Z – параметрами (в)


      Установим связь между Н – параметрами и параметрами схемы
замещения: Rб, Rэ, Rk, a. Для этого вначале рассмотрим режим короткого
замыкания со стороны входных зажимов: U2=0 (рис.2.5,б). При этом, в
соответствии с уравнениями транзистора, имеем:
                               U&1 =H11 I&   &        &
                                         1 ; I 2 =H21 I 1 .

С другой стороны, из схемы видно:
                                   U&1 =Rб I&    &
                                            1 + U эк ;


                              U&эк =( I&    & Rэ Rк
                                       1 +a I 1 )
                                                  Rэ + Rк
и, значит
                                      R R
                            U&1 =[Rб+ э к (1+a)] I&
                                                  1,
                                     Rэ + Rк
то есть:
                                          Rэ Rк
                              H11=Rб+            (1+a).
                                         Rэ + Rк



                                           15