Анализ линейных активных цепей. Герасимова Г.Н - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ДВФУ | Владивосток

Составители: 

Рубрика: 

17
В схеме рис.2.5,в управляющий ток зависимого источника равен
нулю:
&
J
=a
&
I
1
=0, и связи между величинами
&
U
1
,
&
U
2
,
&
I
2
очевидны:
&
I
2
=
&
U
R R
к э
2
+
;
&
U
1
=R
э
&
I
2
=
&
UR
R R
э
к
э
2
+
,
откуда
H
12
=
R
R R
э
э к
+
; H
22
=
1
R R
э к
+
.
Если четыре соотношения для Н
11
, Н
12
, Н
21
, Н
22
, рассматриваемые
совместно, разрешить относительно R
б
, R
э
, R
k
и a, то получим формулы,
позволяющие вычислять параметры одноконтурной схемы через Н –
параметры:
R
б
= H
11
–
H H
H
12 21
22
1( )
, R
э
=
H
H
12
22
, R
к
=
1
12
22
−
H
H
,
a =
H H
H
21 12
12
1
+
−
.
Типичные значения параметров Т – образной схемы: R
э
≈25 Ом,
R
б
≈500 Ом, R
к
≈2
.
10
6
Ом, а≈0,9–0,99.
Последние формулы могут быть существенно упрощены, если
принять во внимание характерную для биполярных транзисторов малость
численного значения параметра Н
12
и задать Н
12
=0. Тогда R
б
=H
11
, R
э
=0,
R
k
=1/H
22
, a=H
21
. При этом одногенераторная схема и схема с двумя
зависимыми источниками, построенная на уравнениях транзистора с Н –
параметрами, отождествляются (рис.2.6, а).
Дальнейшее упрощение схемы замещения транзистора может быть
осуществлено на том основании, что Н
11
<<1/Н
22
, или, что то же, R
k
>>R
б
.
На схеме рис.2.6,б ветвь с сопротивлением R
k
исключена из схемы, и таким
образом выходная проводимость этой более простой модели транзистора
равна нулю.
На пути к дальнейшему упрощению схемной модели задают входное
сопротивление R
б
=H
11
=0, рис.2.6,в. В результате такого поэтапного 
      В схеме рис.2.5,в управляющий ток зависимого источника равен
нулю: J&=a I&                               & & &
            1 =0, и связи между величинами U 1 , U 2 , I 2 очевидны:

                                U&2                   U& R
                      I&2 =           ; U&1 =Rэ I&2 = 2 э ,
                              Rк + Rэ                Rк + Rэ
откуда
                                    Rэ              1
                           H12=           ; H22=         .
                                  Rэ + Rк        Rэ + Rк
      Если четыре соотношения для Н11, Н12, Н21, Н22, рассматриваемые
совместно, разрешить относительно Rб, Rэ, Rk и a, то получим формулы,
позволяющие вычислять параметры одноконтурной схемы через Н –
параметры:
                           H 12 ( H 21 + 1)       H          1 − H12
              Rб = H11 –                    , Rэ = 12 , Rк =         ,
                                 H 22             H 22         H22
                                        H 21 + H12
                                   a=              .
                                         1 − H12
      Типичные значения параметров Т – образной схемы: Rэ≈25 Ом,
Rб≈500 Ом, Rк≈2 .106 Ом, а≈0,9–0,99.
      Последние формулы могут быть существенно упрощены, если
принять во внимание характерную для биполярных транзисторов малость
численного значения параметра Н12 и задать Н12=0. Тогда Rб=H11, Rэ=0,
Rk=1/H22, a=H21. При этом одногенераторная схема и схема с двумя
зависимыми источниками, построенная на уравнениях транзистора с Н –
параметрами, отождествляются (рис.2.6, а).
      Дальнейшее упрощение схемы замещения транзистора может быть
осуществлено на том основании, что Н11<<1/Н22, или, что то же, Rk>>Rб.
На схеме рис.2.6,б ветвь с сопротивлением Rk исключена из схемы, и таким
образом выходная проводимость этой более простой модели транзистора
равна нулю.
      На пути к дальнейшему упрощению схемной модели задают входное
сопротивление Rб=H11=0, рис.2.6,в. В результате такого поэтапного


                                          17

Страницы