Анализ линейных активных цепей. Герасимова Г.Н - 20 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ДВФУ | Владивосток

Составители: 

Рубрика: 

18
упрощения приходим к предельно идеализированной схеме – к схеме
ИТУТ.
За основу построения схемной модели полевого транзистора и
лампового триода возьмем схему рис.2.4,б. В ней останется лишь один
источник тока S
&
U
1
и его внутренняя проводимость G, (рис.2.7,а),
поскольку Y
11
=Y
12
=0. При этом ток I
1
=0, и входная ветвь оказывается не
связанной кондуктивно с остальной частью схемы.
Выходная проводимость G мала (в особенности это справедливо в
отношении схемы полевого транзистора), и если ею пренебречь, то есть
задать G=0, то приходим к идеальной схеме ИТУН, рис.2.7,б.
Процесс перехода к схемам ИТУТ (рис.2.6,в) и ИТУН (рис.2.7,б)
может служить иллюстрацией сформулированного ранее положения о том,
что зависимые источники есть элементы цепи, полученные в результате
идеализации схем замещения реальных приборов (транзисторов,
электронных ламп) на основании предельного перехода к схемам без
потерь.
Рис.2.6. Упрощенные схемы замещения биполярного транзистора:
а) когда Н
12
=0; б) когда Н
12
=0, R
k
=1/H
22
→∞;
в) когда Н
12
=0, R
k
=1/H
22
→∞; R
б
=0 
упрощения приходим к предельно идеализированной схеме – к схеме
ИТУТ.
     За основу построения схемной модели полевого транзистора и
лампового триода возьмем схему рис.2.4,б. В ней останется лишь один
источник тока S U&1 и его внутренняя проводимость G, (рис.2.7,а),
поскольку Y11=Y12=0. При этом ток I1=0, и входная ветвь оказывается не
связанной кондуктивно с остальной частью схемы.
     Выходная проводимость G мала (в особенности это справедливо в
отношении схемы полевого транзистора), и если ею пренебречь, то есть
задать G=0, то приходим к идеальной схеме ИТУН, рис.2.7,б.
     Процесс перехода к схемам ИТУТ (рис.2.6,в) и ИТУН (рис.2.7,б)
может служить иллюстрацией сформулированного ранее положения о том,
что зависимые источники есть элементы цепи, полученные в результате
идеализации     схем    замещения      реальных     приборов     (транзисторов,
электронных ламп) на основании предельного перехода к схемам без
потерь.




          Рис.2.6. Упрощенные схемы замещения биполярного транзистора:
                   а) когда Н12=0; б) когда Н12=0, Rk=1/H22→∞;
                        в) когда Н12=0, Rk=1/H22→∞; Rб=0




                                       18

Страницы