ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
19
До сих пор по умолчанию предполагалось, что частота
преобразуемых сигналов достаточно мала и можно не учитывать токи
электрического смещения, существующие в переменном электрическом
поле электронных триодов между их электродами и в зоне р–п – переходов
транзисторов. В результате параметры схем замещения оказались
вещественными, а сами схемы – резистивными. С учетом этого
обстоятельства их называют низкочастотными схемами замещения.
Рис.2.7. Малосигнальная схема замещения полевого транзистора и лампового триода:
а) с учетом выходной проводимости; б) без учета выходной проводимости
Между тем, на самом деле в области высоких частот (для некоторых
типов биполярных транзисторов она начинается с нескольких десятков
килогерц) заметно сказывается влияние токов смещения и другие
дополнительные явления, которые обычно учитываются введением в
эквивалентную схему емкостных элементов. Ниже рассмотрены пути
такого уточнения этих схем.
2.3. Высокочастотные схемные модели электронных приборов
Учтем в электронной лампе межэлектродные емкости: С
ск
– между
сеткой и катодом, С
са
– между сеткой и анодом и С
ак
– между анодом и
катодом и скорректируем полученную ранее схему замещения (см. рис.2.7)
включением в нее емкостей между соответствующими зажимами, рис.2.8.
До сих пор по умолчанию предполагалось, что частота преобразуемых сигналов достаточно мала и можно не учитывать токи электрического смещения, существующие в переменном электрическом поле электронных триодов между их электродами и в зоне р–п – переходов транзисторов. В результате параметры схем замещения оказались вещественными, а сами схемы – резистивными. С учетом этого обстоятельства их называют низкочастотными схемами замещения. Рис.2.7. Малосигнальная схема замещения полевого транзистора и лампового триода: а) с учетом выходной проводимости; б) без учета выходной проводимости Между тем, на самом деле в области высоких частот (для некоторых типов биполярных транзисторов она начинается с нескольких десятков килогерц) заметно сказывается влияние токов смещения и другие дополнительные явления, которые обычно учитываются введением в эквивалентную схему емкостных элементов. Ниже рассмотрены пути такого уточнения этих схем. 2.3. Высокочастотные схемные модели электронных приборов Учтем в электронной лампе межэлектродные емкости: Сск – между сеткой и катодом, Сса – между сеткой и анодом и Сак – между анодом и катодом и скорректируем полученную ранее схему замещения (см. рис.2.7) включением в нее емкостей между соответствующими зажимами, рис.2.8. 19
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »