Анализ линейных активных цепей. Герасимова Г.Н - 21 стр.

UptoLike

Рубрика: 

19
До сих пор по умолчанию предполагалось, что частота
преобразуемых сигналов достаточно мала и можно не учитывать токи
электрического смещения, существующие в переменном электрическом
поле электронных триодов между их электродами и в зоне рп переходов
транзисторов. В результате параметры схем замещения оказались
вещественными, а сами схемы резистивными. С учетом этого
обстоятельства их называют низкочастотными схемами замещения.
Рис.2.7. Малосигнальная схема замещения полевого транзистора и лампового триода:
а) с учетом выходной проводимости; б) без учета выходной проводимости
Между тем, на самом деле в области высоких частот (для некоторых
типов биполярных транзисторов она начинается с нескольких десятков
килогерц) заметно сказывается влияние токов смещения и другие
дополнительные явления, которые обычно учитываются введением в
эквивалентную схему емкостных элементов. Ниже рассмотрены пути
такого уточнения этих схем.
2.3. Высокочастотные схемные модели электронных приборов
Учтем в электронной лампе межэлектродные емкости: С
ск
между
сеткой и катодом, С
са
между сеткой и анодом и С
ак
между анодом и
катодом и скорректируем полученную ранее схему замещения (см. рис.2.7)
включением в нее емкостей между соответствующими зажимами, рис.2.8.
      До   сих    пор    по   умолчанию      предполагалось,      что   частота
преобразуемых сигналов достаточно мала и можно не учитывать токи
электрического смещения, существующие в переменном электрическом
поле электронных триодов между их электродами и в зоне р–п – переходов
транзисторов. В результате параметры схем замещения оказались
вещественными, а сами схемы – резистивными. С учетом этого
обстоятельства их называют низкочастотными схемами замещения.




Рис.2.7. Малосигнальная схема замещения полевого транзистора и лампового триода:
     а) с учетом выходной проводимости; б) без учета выходной проводимости


     Между тем, на самом деле в области высоких частот (для некоторых
типов биполярных транзисторов она начинается с нескольких десятков
килогерц) заметно сказывается влияние токов смещения и другие
дополнительные явления, которые обычно учитываются введением в
эквивалентную схему емкостных элементов. Ниже рассмотрены пути
такого уточнения этих схем.


    2.3. Высокочастотные схемные модели электронных приборов


     Учтем в электронной лампе межэлектродные емкости: Сск – между
сеткой и катодом, Сса – между сеткой и анодом и Сак – между анодом и
катодом и скорректируем полученную ранее схему замещения (см. рис.2.7)
включением в нее емкостей между соответствующими зажимами, рис.2.8.




                                      19