Анализ линейных активных цепей. Герасимова Г.Н - 23 стр.

емкости: Сзи (между затвором и истоком), Сзс (между затвором и стоком) и
Сис (между истоком и стоком). Разница заключается лишь в том, что
емкость Сис при высоких частотах практически полностью шунтирует
выходную проводимость G и ею, как правило, пренебрегают.
     Описание   физических    процессов   в   биполярном    транзисторе
достаточно сложное, причем эта сложность возрастает при учете высокой
частоты сигналов. Так, глобальная физическая модель транзистора (она
называется моделью Эберса – Молла) содержит пять резисторов, две
емкости и два зависимых источника, и в общей сложности она
описывается 22 параметрами. К тому же, эта модель нелинейна.
Безусловно, существует класс задач, в которых применение таких
прецензионных моделей вполне оправдано.
     Однако в большинстве практических случаев, сводящихся к анализу
работы электронных устройств, содержащих десятки транзисторов,
применение громоздких моделей ведет к неоправданному усложнению
математического описания. Для разумного облегчения схемных моделей
используются различные частотные критерии, на основании которых
осуществляются оценки влияния тех или иных компонентов схем
замещения. С их помощью удается обосновать возможности упрощения
моделей не в ущерб точности анализа цепи в целом. К этому следует
добавить, что многие оценки и связанные с ними упрощения моделей
строятся на известном иерархическом ряде: Rk>>Rб>>Rэ.
     В результате сравнительного анализа на основе обширного опыта
проектирования и эксплуатации электронной техники для биполярных
транзисторов выработана оптимальная высокочастотная схема замещения,
рис.2.10, которая характеризуется сравнительной простотой, точностью в
достаточно широком диапазоне частот (от 1 кГц до 100 Мгц) и легкостью
определения параметров.




                                  21