Анализ линейных активных цепей. Герасимова Г.Н - 24 стр.

    Рис.2.10. Высокочастотная модель биполярного транзистора в схеме с общим
                                   эмиттером


      На этой схеме узел б’ соответствует некоторой внутренней точке
базовой области на границе, определяющей зону однородного кристалла
полупроводника, лежащую вне зон базы – эмиттерного и базы –
коллекторного p–n – переходов. Элементам схемы можно дать следующее
толкование:
      R’б – сопротивление базовой зоны кристалла, предлежащего зонам p–
n – переходов. Его числовое значение лежит в пределах 5...100 Ом;
      Rбэ, Сбэ – сопротивление и емкость смещенного в прямом
направлении база – эмиттерного p–n – перехода;
      Rбк, Сбк – сопротивление и емкость между базой и коллектором (в
основном определяется сопротивлением и емкостью база – коллекторного
p–n– перехода, смещенного в обратном направлении);
      Rкэ – полное выходное сопротивление в схеме с общим эмиттером.
      Важно, что в этой схеме в зависимом источнике управляющее
напряжение не U&1 , а U&1/ , измеряемое между точками “ б / ” и “э”.
      Рассмотренная в этом разделе информация размещена в табл.2
“Типовые схемы замещения электронных приборов в малосигнальных
режимах”.     В   только   что    обсужденной      высокочастотной      модели
биполярного транзистора отсутствуют резисторы Rбк и Rкэ. Числовые
значения их сопротивлений очень велики (порядка 106Ом и более),
поэтому обычно их исключают из схемы. По этой же причине в модели

                                      22