Физические основы электроники. Глазачев А.В - 47 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
47
Коллектор
Эмиттер
Вывод
эмиттера
Эмиттерный
переход
Коллекторный
переход
Вывод
коллектора
Вывод базы
База
Ni
Ni
In
In
Ge
W
n
p
а
б
Э Б К
Рис. 3.3. Общий вид (а) и конструктивное оформление одного из биполярных транзисторов (б)
Таблица 3.1.
Режимы работы биполярного транзистора
Эмиттерный переход Коллекторный переход
Режим работы
транзистора
прямое обратное
активный
(усилительный)
прямое прямое насыщения
обратное обратное отсечки
обратное прямое инверсный
Если на эмиттерном переходе напряжение прямое, и он инжектирует носители в базу, а на кол-
лекторном переходе напряжение обратное, и он собирает носители из базы, то такое включение тран-
зистора называют нормальным, а транзистор работает в активном (усилительном) режиме.
В режиме насыщения оба p–n-перехода включены в прямом направлении, переходы насыщены
подвижными носителями заряда, их сопротивления малы.
В режиме отсечки оба p–n-перехода включены в обратном направлении. В электродах транзи-
стора протекают тепловые токи обратновключенных переходов.
Если же на коллекторном переходе напряжение прямое, и он инжектирует носители в базу, а на
эмиттерном переходе напряжение обратное, и он осуществляет экстракцию носителей из базы, то та-
кое включение транзистора называют инверсным, а транзистор работает в инверсном режиме.
При инверсном включении транзистора необходимо учитывать следующие особенности:
1. Поскольку эмиттерный переход по площади меньше, чем коллекторный, то из того количе-
ства носителей, которые инжектируются коллекторным переходом, меньшее количество собирается
эмиттерным переходом, что снижает величину тока этого перехода.
2. Это приводит к изменению заряда носителей в базе и, следовательно, к изменению барьер-
ной ёмкости переходов, т.е. к изменению частотных свойств транзистора.
3. При меньшей площади эмиттерного перехода необходимо снижать величину его тока, что-
бы оставить прежней температуру нагрева полупроводниковой структуры.
3.2. Физические процессы в биполярном транзисторе
Физические процессы в биполярном транзисторе при усилении электрических сигналов рас-
смотрим на примере рис. 3.4. К транзистору подключают два источника ЭДС:
1
E – ЭДС источника

Страницы