Физические основы электроники. Глазачев А.В - 49 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
49
будет участвовать в образовании тока коллектора
к
I . Это приведет к изменению коэффициента пе-
редачи по току
a
.
2. Изменение тока
к
I при const
э
=
I приводит к зависимости
к
I от
2
E , т.е. к изменению со-
противления коллекторного перехода.
3. Поскольку при этом меняется заряд носителей в базе, то это приводит к изменению емкости
p–n-перехода.
4. Изменение ширины базового слоя приводит к изменению времени прохождения зарядами
базовой области, т.е. к изменению частотных свойств транзистора.
5. Изменение ширины базы влияет на величину тока
э
I при неизменном значении
1
E .
Как крайнюю степень проявления модуляции ширины базы следует рассматривать явление, на-
зываемое проколом базы. Прокол базы наступает тогда, когда под действием большого значения ЭДС
источника питания
2
E ширина коллекторного перехода возрастает настолько, что происходит его
смыкание с эмиттерным переходом, что весьма вероятно в условиях малой толщины базовой области.
При этом
1
=
a
, а транзистор пробивается.
Основные параметры биполярных транзисторов:
1. Коэффициенты передачи эмиттерного и базового тока:
const
кэ
б
к
э21
=
=
U
dI
dI
h ;
const
кб
б
к
б21
=
=
U
dI
dI
h .
2. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода (единицы – десятки Ом)
const
кэ
б
эб
дифэ
=
=
U
dI
dU
r .
3. Обратный ток коллекторного перехода при заданном обратном напряжении (единицы нано-
ампер – десятки миллиампер)
0;
0
кб
э
ккбо
<
=
= U
I
II .
4. Объемное сопротивление базы
б
r
¢
(десятки – сотни Ом).
5. Выходная проводимость
22
h или дифференциальное сопротивление коллекторного перехода
(доли – сотни мкСм)
const
1
б
к
кб
22
дифк
=
==
I
dI
dU
h
r
э
;
const
1
Э
к
кб
22
дифк
=
==
I
dI
dU
h
r
б
.
6. Максимально допустимый ток коллектора
maxк
I (сотни миллиампер – десятки ампер).
7. Напряжение насыщения коллектор – эмиттер
наскэ
U (десятые доли – один вольт).
8. Наибольшая мощность рассеяния коллектором
maxк
P (милливатт – десятки ватт).
9. Ёмкость коллекторного перехода
к
C (единицы – десятки пикофарад).
Выводы:
1. При прямом напряжении, приложенном к эмиттерному переходу, потенциальный барьер
понижается, и в базу инжектируются носители заряда.
2. Инжектированные в базу неосновные носители заряда диффундируют в сторону коллектор-
ного перехода.
3. Вследствие того, что ширина базы транзистора мала и концентрация основных носителей
заряда в ней низкая, почти все инжектированные в базу неосновные носители заряда достигают кол-
лекторного перехода и перебрасываются полем потенциального барьера в коллектор, образуя управ-
ляемый ток коллектора.
4. Небольшая часть инжектированных носителей заряда успевает рекомбинировать в базе, об-
разуя рекомбинированную составляющую тока эмиттера, которая замыкается через цепь базы.
5. Через цепь базы замыкается также небольшая составляющая тока эмиттера, образованная
диффузией неосновных носителей заряда из базы в эмиттер, и обратный ток коллекторного перехода.

Страницы