Физические основы электроники. Глазачев А.В - 51 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
51
Основные параметры, характеризующие эту схему вклю-
ния, определим из выражений:
1. Коэффициент усиления по току:
кэ
к
б
к
э
II
I
I
I
k
I
-
==b= , (3.8)
поделив в этом выражении числитель и знаменатель дроби на ток
эмиттера
э
I , получим:
a-
a
=
-
=b
1
э
кэ
э
к
I
II
I
I
. (3.9)
Из (3.9) видно, что в схеме с общим эмиттером коэффициент
усиления по току достаточно большой, так как
a
– величина,
близкая к единице, и составляет десятки – сотни единиц.
2. Входное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером:
кэ
1
б
1
эвх
II
E
I
E
R
-
== , (3.10)
поделив в этом выражении числитель и знаменатель на ток эмиттера
э
I , получим:
a-
=
-
=
1
бвх
э
кэ
э
1
эвх
R
I
II
I
E
R . (3.11)
Отсюда следует, что
бвхэвх
RR
>>
, т.е. по этому параметру схема с общим эмиттером значительно
превосходит схему с общей базой. Для схемы с общим эмиттером входное сопротивление лежит в диа-
пазоне сотни Ом – единицы кОм.
3. Коэффициент усиления по напряжению:
эвх
н
эвхб
нк
1
нк
вх
вых
э
1 R
R
RI
RI
E
RI
U
U
k
U
a-
a
==== . (3.12)
Подставляя сюда
эвх
R из (3.10), получим:
бвх
н
эвх
н
э
1 R
R
R
R
k
U
a=
a-
a
= , (3.13)
т.е. коэффициент усиления по напряжению в этой схеме точно такой же, как и в схеме с общей базой –
бэ UU
kk
=
, и составляет десятки – сотни единиц.
4. Коэффициент усиления по мощности:
бвх
н
2
эээ
1 R
R
kkk
UIP
a-
a
== . (3.14)
Что значительно больше, чем в схеме с общей базой (сотни – десятки тысяч единиц).
3.3.3. Схема с общим коллектором
Исходя из принятых отличительных признаков схема включения транзистора с общим коллекто-
ром должна иметь вид (рис. 3.7, а). Однако в этом случае транзистор оказывается в инверсном вклю-
чении, что нежелательно из-за ряда особенностей, отмеченных выше. Поэтому в схеме просто механи-
чески меняют местами выводы эмиттера и коллектора и получают нормальное включение транзистора
(рис. 3.7, б). В этой схеме сопротивление нагрузки
н
R включено во входную цепь; входным током яв-
ляется ток базы
б
I ; выходным током является ток эмиттера
кбэ
III
+
=
.
1
E
2
E
э
I
б
I
I
Рис. 3.6. Включение транзистора
по схеме с общим эмиттером

Страницы