Физические основы электроники. Глазачев А.В - 54 стр.

UptoLike

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
54
4. Характеристики передачи по току:
()
const
вых
вхвых
=
=
U
IfI . (3.25)
Наиболее часто на практике используют входные и выходные характеристики, которые обычно
приводятся в справочной литературе и представляют собой усредненные зависимости большого числа
однотипных транзисторов. Две последние характеристики применяют реже и, к тому же, они могут
быть построены из входных и выходных характеристик.
3.4.1. Статические характеристики для схемы с общей базой
1. Семейство входных статических характеристик (рис. 3.8) представляет собой зависимость
()
const
кб
эбэ
=
=
U
UfI .
При 0
кб
=
U входная характеристика представляет собой прямую ветвь вольт-амперной характе-
ристики эмиттерного перехода. При 0
кб
<
U данная характеристика смещается немного выше оси
абсцисс, т. к. при отсутствии
входного сигнала ( 0
1
=
E )
через запертый коллекторный
переход протекает маленький
обратный ток
к0
I , который
создает на объемном сопро-
тивлении базовой области
б
r
падение напряжения, прило-
женное к эмиттерному пере-
ходу в прямом направлении
(рис. 3.8, а). Это падение на-
пряжения и обусловливает
протекание через эмиттерный
переход маленького прямого
тока и смещение вверх вход-
ной характеристики (рис. 3.8, б).
При 0
кб
>
U коллекторный переход смещается в прямом направлении, через него протекает
прямой ток, и следовательно падение напряжения на сопротивлении базы
б
r изменит полярность на
противоположную, что вызовет при отсутствии входного сигнала протекание через эмиттерный пере-
ход маленького обратного тока и, следовательно, смещение входной характеристики вниз (рис. 3.8, б).
2. Семейство выходных статических характеристик (рис. 3.9) представляет собой зависимость
( )
const
э
кбк
=
=
I
UfI .
Если 0
э
=
I , то выходная характеристика
представляет собой обратную ветвь вольт-
амперной характеристики коллекторного пере-
хода. При 0
э
>
I ток в коллекторной цепи будет
протекать даже при отсутствии источника кол-
лекторного питания ( 0
2
=
E ) за счет экстракции
инжектированных в базу носителей полем кол-
лекторного перехода. При увеличении напря-
жения
кб
U коллекторный ток практически не
меняется, т. к. количество инжектированных в
базу носителей не меняется ( const
э
=
I ), а воз-
растает только скорость их перемещения через
коллекторный переход. Чем больше уровень
э
I
эб
U
0
кб
>
U
0
кб
=
U
0
кб
<
U
К
ЭП
КП
Б
p
n
+
+
-
-
2
E
б
r
p
Рис. 3.8.
Входные характеристики схемы с общей базой
кб
U
к
I
Режим отсечки
0
э
=
I
0
э1
>
I
э1
э2
II
>
2
э
э3
II
>
3
э
э4
II
>
4
э
э5
II
>
Рис. 3.9.
Выходные характеристики схемы с общей базой