Физические основы электроники. Глазачев А.В - 55 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
55
тока
э
I , тем больше и коллекторный ток
к
I .
При изменении полярности
кб
U на противоположную меняется и включение коллекторного пе-
рехода с обратного на прямое. Поэтому ток
к
I вначале очень быстро снижается до нуля, а затем изме-
няет свое направление на противоположное.
3.4.2. Статические характеристики для схе-
мы с общим эмиттером
1. Семейство входных статических ха-
рактеристик представляет собой зависимость
( )
const
кэ
бэб
=
=
U
UfI . Вид этих характери-
стик показан на рис. 3.10.
При 0
кэ
=
U эта характеристика пред-
ставляет собой прямую ветвь вольт-амперной
характеристики эмиттерного перехода. При
этом коллекторный переход оказывается
включенным в прямом направлении на напря-
жение источника
1
E (рис. 3.11, а).
При включении источника
2
E ( 0
кэ
<
U ) характеристика пойдет несколько ниже предыдущей,
т.к. в случае 0
бэ
=
U (рис. 3.11, б) источник
1
E отсутствует и через коллекторный переход протекает
маленький обратный ток
к0
I под действием источника
2
E , направление которого в базе противопо-
ложно тому, когда включен
источник
1
E .
При включении
1
E
( 0
бэ
>
U ) этот ток будет
уменьшаться, т. к. в цепи его
протекания
1
E и
2
E будут
включены встречно, а затем
он перейдет через ноль и бу-
дет возрастать в положитель-
ном направлении под дейст-
вием
1
E . Однако в справоч-
ной литературе этим малым
значением тока пренебрегают,
и входные характеристики представляют исходящими из начала координат.
3. Выходные статические характеристики (рис. 3.12) представляют собой зависимости
()
const
б
кэк
=
=
I
UfI .
При 0
б
=
I эта характеристика пред-
ставляет собой обратную ветвь вольт-
амперной характеристики коллекторного пе-
рехода. При 0
б
>
I характеристики имеют
большую крутизну в области малых значений
кэ
U , т.к. при условии
12
EE
<
(рис. 3.11, а),
коллекторный переход включен в прямом
направлении; поэтому сопротивление его
незначительно и достаточно небольшого из-
менения напряжения на нем, чтобы ток
к
I
изменился значительно. Более того, при
б
I
бэ
U
кэ1
U
0
кэ
=
U
кэ2
кэ1
UU
Рис. 3.10. Входные характеристики схемы с общим эмиттером
Э
К
ЭП
КП
Б
p
n
0
2
=
E
p
+
-
1
E
Э
К
ЭП
КП
Б
p
n
+
-
2
E
Рис. 3.11. Схемы включения транзистора,
поясняющие особенность входных характеристик схемы с общим эмиттером
к
I
кэ
U
0
б
I
0
б1
>
I
б1
б2
II
б2
б3
II
б3
б4
II
>
б4
б5
II
>
Рис. 3.12. Выходные характеристики схемы с общим эмиттером

Страницы