Физические основы электроники. Глазачев А.В - 57 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
57
ходной характеристику
(
)
бк
IfI
=
и характеристику входную
(
)
бэб
UfI
=
. При этом считаем, что
при 5
кэ
>
U В все входные характеристики идут настолько близко друг к другу, что практически
сливаются с характеристикой при 5
кэ
=
U В.
0
2
,
0
4
,
0
,
2
,
0
4
,
0
6
,
0
8
,
0
мА,
б
I
ВU ,
бэ
В,
кэ
U
мА,
к
I
10
20
30
40
4
8
12
14
мА06,0
б
=
I
1
,
0
2
,
0
3
,
0
4
,
0
5
,
1
,
0
3
,
0
5
,
0
В0
кэ
=
U
В5
кэ
=
U
В2
кэ
=
U
Б
KT
201
В5
кэ
=
U
В2
кэ
=
U
мА1,0
б
=
I
2
,
0
,
4
,
0
,
Выходные характеристики
Входные характеристики
Характеристики управления
(прямой передачи по току)
Характеристики обратной связи
(обратного действия)
1
2
3
4
5
6
,
0
Рис. 3.14. Семейство статических характеристик биполярного транзистора
3.5. Эквивалентные схемы транзистора
Реальный транзистор при расчете электронных схем можно представить в виде эквивалентной
схемы (рис. 3.15). Здесь оба электронно-дырочных перехода, эмиттерный и коллекторный, представ-
лены диодами
1VD
и
2VD
, а их взаимодействие учитывается генераторами токов, которые генери-
руют токи:
1
I
N
a
– в нормальном включении (
N
a
– коэффициент передачи транзистора в нормаль-
ном включении);
11
I
a
– в инверсном включении (
1
a
– коэффициент передачи по току в инверсном
включении). Собственные сопротивления
различных областей транзистора учитыва-
ются сопротивлениями:
э
r – сопротивле-
ние эмиттерной области,
б
r – сопротивле-
ние базы,
к
r – сопротивление коллектора.
Рассмотренная схема, является эквива-
лентной схемой транзистора по постоян-
ному току, так как не учитывает ряда фак-
торов, оказывающих существенное влия-
ние на переменную составляющую.
Рис. 3.15. Эквивалентная схема транзистора по постоянному току

Страницы