Физические основы электроники. Глазачев А.В - 59 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
59
транзистора по току при коротком замыкании на выходе;
0
1
2
2
22
=
=
I
U
I
h – выходная проводимость
транзистора при холостом ходе во входной цепи.
С учетом h-параметров эквивалентная схема транзистора выглядит следующим образом
(рис. 3.18).
Здесь во входной цепи транзистора
включен генератор напряжения
212
Uh , кото-
рый учитывает взаимовлияние между коллек-
торным и эмиттерным переходом в результа-
те модуляции ширины базы, а генератор тока
121
Ih в выходной цепи учитывает усилитель-
ные свойства транзистора, когда под дейст-
вием входного тока
1
I , в выходной цепи воз-
никает пропорциональный ему ток
121
Ih . Па-
раметры
11
h и
22
h – это соответственно, входное сопротивление и выходная проводимость транзисто-
ра. Для различных схем включения транзистора h-параметры будут различны.
Так, для схемы с общей базой входными и выходными величинами являются (рис. 3.19):
эб1
UU
=
;
э1
II
=
;
кэ2
UU
=
;
к2
II
=
.
Так как транзистор чаще усиливает сигнал
переменного тока, то и h-параметры по перемен-
ному току должны определяться не как статиче-
ские, а как динамические (дифференциальные).
Для схемы с общей базой они определяются по
выражениям:
const
кб
э
эб
б11
=
D
D
=
U
I
U
h ; (3.27)
const
э
кб
эб
б12
=
D
D
=
I
U
U
h ; (3.28)
const
кб
э
к
б21
=
D
D
=
U
I
I
h ; (3.29)
const
э
кб
к
б22
=
D
D
=
I
U
I
h . (3.30)
Индекс «б» говорит о принадлежности этих параметров к схеме с общей базой.
Для схемы с общим эмиттером входными и выходными величинами являются (рис. 3.20):
бэ1
UU
=
;
б1
II
=
;
кэ2
UU
=
;
к2
II
=
.
Для схемы с общим эмиттером h-параметры
определяются из соотношений:
const
кэ
б
бэ
э11
=
D
D
=
U
I
U
h , (3.31)
и составляет от сотен Ом до единиц кОм;
const
б
кэ
бэ
э12
=
D
D
=
I
U
U
h , (3.32)
и обычно равен
43
1010
--
K
, т.е. напряжение передаваемое с выхода на вход за счет обратной связи,
составляет тысячные или десятитысячные доли выходного напряжения;
const
кэ
б
к
э21
=
D
D
=
U
I
I
h , (3.33)
и составляет десятки– сотни единиц;
2
U
1
U
1
I
2
I
11
h
212
Uh
121
Ih
22
1
h
Рис. 3.18. Схема замещения транзистора
1
U
2
U
1
I
2
I
Рис. 3.19. Эквивалентная схема четырехполюсника
для схемы с общей базой
1
U
2
U
1
I
2
I
Рис. 3.20. Эквивалентная схема четырехполюсника
для схемы с общим эмиттером

Страницы