Физические основы электроники. Глазачев А.В - 61 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
61
напряжения
бэ
U
D
:
AD
UUU
бэбэбэ
-
=
D
на величину
эб
U
D
, находим приращение тока базы
AD
III
ббб
-
=
¢
D
.
Подставляя найденные значения
бэ
U
D
и
б
I
¢
D
в выражение (3.31), получаем:
const
кэ
б
бэ
э11
=
¢
D
D
=
U
I
U
h . (3.38)
Для нахождения параметра
12
h необходимы две входные характеристики, снятые для 0
кэ
¹
U .
Предположим, что кроме приведенных входных характеристик была бы еще одна, снятая, на-
пример, для 3
кэ
=
U В (показана на рис. 3.21, а пунктиром). Тогда, находя на этой характеристике точ-
ку
E
, соответствующую базовому току
A
I
б
, можно было бы определить:
EA
UUU
бэбэбэ
-
=
¢
D
и 235
кэкэкэ
=
-
=
-
=
¢
D
EA
UUU В,
где
A
U
кэ
и
E
U
кэ
– значения напряжений на коллекторе, при которых сняты входные характеристики с
точкой
A
и точкой
E
. Подставляя найденные значения в выражение (3.32), можно было бы получить:
const
бб
кэ
бэ
э12
==
¢
D
¢
D
=
A
II
U
U
h . (3.39)
Использование для нахождения этого параметра входной характеристики при 0
кэ
=
U В дает
большую погрешность, так как при малых значениях
кэ
U входные характеристики располагаются да-
леко друг от друга, а затем их частота возрастает и уже при 5
кэ
»
U В они практически сливаются друг
с другом. Поскольку в справочниках обычно приводится входная характеристика только для одного
значения 0
кэ
¹
U , точно определить параметр
12
h в нашем случае невозможно.
3.7. Режимы работы транзистора
Рассмотрим каскад усиления на транзисторе, включенном
по схеме с общим эмиттером (рис. 3.22). При изменении вели-
чины входного сигнала будет изменяться ток базы
б
I . Ток кол-
лектора
к
I изменяется пропорционально току базы:
бк
II
b
=
. (3.40)
Изменение тока коллектора можно проследить по вы-
ходным характеристикам транзистора (рис. 3.23). На оси абс-
цисс отложим отрезок, равный
к
E – напряжению источника
питания коллекторной цепи, а на оси ординат отложим отрезок,
соответствующий максимально возможному току в цепи этого
источника:
к
к
maxк
R
E
I = . (3.41)
Между этими точками проведем прямую
линию, которая называется линией нагрузки и
описывается уравнением:
к
кэк
к
R
UE
I
-
= , (3.42)
где
кэ
U – напряжение между коллектором и
эмиттером транзистора;
к
R – сопротивление
нагрузки в коллекторной цепи.
Из (3.42) следует, что
a== tg
maxк
к
к
I
E
R . (3.43)
И, следовательно, наклон линии нагрузки
определяется сопротивлением
к
R . Из рис. 3.23
1
E
к
E
б
I
к
I
э
I
к
R
вых
U
Рис. 3.22. Схема усилительного каскада
Режим насыщения
к
E
maxк
I
нас2к
I
кэ1
U
2
a
к0
I
насб
I
0кэнаскэкэ2
UUU
=
=
к
I
0
б1
>
I
0
б
=
I
кэ
U
Рис. 3.23. Режимы работы биполярного транзистора

Страницы