Физические основы электроники. Глазачев А.В - 65 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
65
maxбэ
U от началь-
ного значения
0бэ
U , вызы-
вая изменение базового на
величину
maxб
I от началь-
ного значения
б0
I (рис.
3.28, б). Коллекторный ток
при этом будет изменяться
относительно начального
коллекторного тока
к0
I
(рис. 3.28, б), соответст-
вующего базовому току
см
I , в сторону увеличения
и в сторону уменьшения на
величину амплитуды пере-
менной составляющей
maxк
I
.
Выходное напряже-
ние
вых
u при этом будет
тоже изменяться от началь-
ного значения
кэ0
U в
большую и в меньшую сто-
рону на величину амплиту-
ды своей переменной со-
ставляющей
maxкэ
U
.
Отметим, что в рас-
сматриваемой схеме увели-
чению входного сигнала
соответствует увеличение
базового тока, а следова-
тельно, и коллекторного
тока, а выходное напряже-
ние
вых
u при этом умень-
шается. Из чего следует,
что в этой схеме входное и
выходное напряжение из-
меняются в противофазе. Переменная составляющая выходного напряжения проходит через раздели-
тельный конденсатор
2
C и выделяется на нагрузке
н
R . В качестве нагрузки может служить и входное
сопротивление следующего каскада усиления, а характер нагрузки в общем случае может быть различ-
ным. По переменному току нагрузка усилительного каскада
н
R состоит из параллельно включенных
сопротивлений
к
R и
н
R (рис. 3.28):
нк
нк
н
RR
RR
R
+
=
¢
, (3.52)
а по постоянному току – только
к
R . Поэтому и линия нагрузки по постоянной и переменной состав-
ляющим будет проходить по разному. Так, если сопротивление нагрузки
н
R
¢
по переменному току
меньше
к
R – сопротивления по постоянному току, то линия нагрузки будет проходить через ту же ра-
бочую точку
A
, но под другим углом
a
¢
:
(
)
н
arctg R
¢
=
a
¢
, (3.53)
следовательно, линия нагрузки пойдет круче.
Рассмотренные зависимости можно расположить на одном рисунке так, что в первом квадранте
поместить выходные характеристики транзистора с построенной линией нагрузки, а в третьем квад-
ранте – входные характеристики (рис. 3.29). Тогда, используя точки пересечения линии нагрузки по
кэ
U
к
I
0
б
=
I
maxбб0б
IIi
-
=
б0б
Ii
maxбб0б
IIi
А
¢
0к
I
maxк
I
0кэ
U
maxкэ
U
к
E
к
к
R
E
t
B
¢
С
¢
С
¢
¢
B
¢
¢
к
i
t
вых
i
вых
u
бэ
U
б
I
б0
I
maxб
I
t
б
i
A
B
С
t
0бэ
U
maxбэ
U
вх
u
вх
i
a
¢
a
E
Рис. 3.28. Динамические характеристики транзистора

Страницы