Физические основы электроники. Глазачев А.В - 66 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
66
переменному току с выходными характеристиками и входные характеристики транзистора, строим
характеристику управления
(
)
бк
IfI
=
транзистора по переменному току, которая теперь, при работе
с нагрузкой, называется динамической.
кэ
U
к
I
б1
I
1
2
4
5
вых
u
maxвых
U
б
I
бэ
U
ВU 0
кэ
=
ВU 5
кэ
=
1
2
4
5
6
см
U
см
I
вх
u
maxвх
U
вых
i
maxвых
I
вх
i
maxвх
I
б2
I
б3
I
б4
I
б5
I
б6
I
б7
I
б8
I
б1
I
б2
I
б3
I
б4
I
б5
I
б6
I
(
)
б
к
IfI
=
Рис. 3.30
3.11. Режимы работы усилительных каскадов
Поскольку характеристики транзистора существенно нелинейны, то в процессе усиления вход-
ного сигнала имеют место искажения, которые называют нелинейными. Величина искажений в
большой степени зависит от выбора начальной рабочей точки на линии нагрузки и от амплитуды
входного сигнала. В зависимости от этого различают следующие основные режимы работы усилите-
ля:
§ режим класса
A
;
§ режим класса
B
;
§ режим класса
AB
;
§ режим класса
C
;
§ режим класса
D
.
Количественно режим работы усилителя характеризуется углом отсечки
q
– половиной той
части периода входного сигнала, в течение которого в выходной цепи транзистора протекает ток на-
грузки. Угол отсечки выражают в градусах или радианах.

Страницы