Физические основы электроники. Глазачев А.В - 82 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
82
цепи. Принципиальным отличием полевого транзистора от биполярного является то, что источник вход-
ного сигнала подключен к p–n-переходу в обратном, запирающем направлении, и следовательно вход-
ное сопротивление здесь очень большое, а потребляемый от источника входного сигнала ток очень ма-
ленький. В биполярном транзисторе управление осуществляется входным током, а в полевом транзисто-
ре – входным напряжением. Следует отметить, что поскольку потенциал от истока к стоку возрастает, то
соответственно возрастает и обратное напряжение на p–n-переходе, а следовательно, и его ширина. Так
же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут быть разных типов. В рассматриваемом
случае – полевой транзистор с каналом n-типа проводимости, и на принципиальных схемах он обознача-
ется символом, представленным на рис. 4.3, а.
Если канал имеет проводимость р-типа, то его
обозначение такое же, но стрелка затвора направ-
лена в противоположную сторону (рис. 4.3, б).
Если полевой транзистор усиливает сигнал
переменного тока, то в цепь затвора необходимо
вводить смещение в виде источника ЭДС достаточ-
ной величины, чтобы суммарное напряжение на p–
n-переходе не изменяло свой знак на положитель-
ный, так как p–n-переход в таком полевом транзисторе должен быть всегда смещен в обратном на-
правлении. Тогда электрическое поле p–n-перехода, поперечное по отношению к каналу, будет изме-
няться в точном соответствии с изменением входного сигнала, расширяя и сужая канал. В цепи стока
появляется переменная составляющая тока, которая и будет представлять собой усиленный входной
сигнал.
Выводы:
1. Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обу-
словлены потоком основных носителей заряда, протекающим через токопроводящий канал, и управ-
ляемым электрическим полем.
2. Полевой транзистор в отличие от биполярного иногда называют униполярным, т.к. его работа
основана только на основных носителях заряда - либо электронов, либо дырок. Вследствие этого в
полевом транзисторе отсутствуют процессы накопления и рассасывания объемного заряда неосновных
носителей, оказывающих заметное влияние на быстродействие биполярного транзистора.
3. Основным процессом переноса носителей заряда, образующим ток полевого транзистора, яв-
ляется дрейф в электрическом поле. Проводящий слой, в котором создается рабочий ток полевого
транзистора, называется токопроводящим каналом.
4.2. Схемы включения полевых транзисторов
Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения:
с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из
трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмот-
ренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. 4.4, а).
вых
U
R
1
VT
вх
u
см
U
Е
-
+
-
вых
U
R
1
VT
вх
u
см
U
Е
+
-
+
-
вых
U
R
1
VT
вх
u
см
U
Е
+
-
+
-
c
I
и
I
c
I
и
I
c
I
Рис. 4.4. Схемы включения полевых транзисторов
З
С
И
З
С
И
Рис. 4.3. Условные обозначения полевого транзистора,
имеющего канал n-типа (а) и p-типа (б)

Страницы