Физические основы электроники. Глазачев А.В - 83 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций
83
Схема с общим затвором (рис. 4.4, б) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов.
Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током являет-
ся ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.
Схема с общим стоком (рис. 4.4, в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном тран-
зисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напря-
жению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме
очень высокое входное сопротивление и малое выходное.
4.3. Статические характеристики полевых транзисторов
Статическими характеристиками полевого транзистора с управляющим p–n-переходом являются
управляющие и выходные характеристики. Очень малая величина входного тока (практически его от-
сутствие) в полевом транзисторе исключает наличие входных характеристик и характеристик обратно-
го действия.
1. Управляющие (стокозатворные) характеристики. Эти характеристики показывают управ-
ляющее действие затвора и представляют собой зависимость тока стока от напряжения на затворе при
постоянстве напряжения стока:
(
)
нассиси
const
зис
UU
UfI
>=
= . (4.1)
На рис. 4.5, а представлены управляющие характеристики полевого транзистора с каналом n-
типа.
2. Выходные (стоковые) характеристики.
Семейство этих характеристик представляет собой зависимость тока стока от напряжения стока
при неизменном напряжении на затворе:
(
)
const
сис
зи
=
=
U
UfI . (4.2)
Вид этих характеристик представлен на рис. 4.5, б.
С увеличением
c
U
ток сначала растет довольно
быстро, но затем его рост
замедляется и наступает
явление, напоминающее
насыщение, хотя с ростом
c
U ток стока так же должен
возрастать. Это объясняется
тем, что с ростом
c
U воз-
растает обратное напряже-
ние на p–n-переходе и уве-
личивается ширина запи-
рающего слоя, а ширина
канала соответственно
уменьшается. Это приводит
к увеличению его сопротив-
ления и уменьшению тока
c
I . Таким образом, происходит два взаимно противоположных влияния на ток, в результате чего он
остается почти неизменным. Чем больше запирающее напряжение подается на затвор, тем ниже идет
выходная характеристика. Повышение напряжения стока, в конце концов, может привести к электри-
ческому пробою p–n-перехода, и ток стока начинает лавинообразно нарастать. Напряжение пробоя яв-
ляется одним из предельных параметров полевого транзистора.
4.4. Основные параметры полевых транзисторов
1. Крутизна характеристики:
const
зи
c
си
=
D
D
=
U
U
I
S , (4.3)
где
с
I
D
– приращение тока стока;
зи
U
D
– приращение напряжения на затворе.
с
I
В0
зи
=
U
0
зи
<
U
зи
U
зи
U
¢
нассиси
UU
=
0
си2
си1
UU
<
си1
U
зи
U
си
U
с
I
Рис. 4.5. Статические характеристики полевого транзистора
с управляющим p–n-переходом с каналом n-типа

Страницы