ВУЗ:
Составители:
23
сталла. В отличие от металлических ПП тензорезисторы имеют нели-
нейную вольт-амперную характеристику (рис. 2.2, а) с отрицательным
коэффициентом сопротивления давлению (рис. 2.2, б).
Рис. 2.2. Характеристики ПП резисторов:
а – вольт-амперная; б – сопротивления; в – энергетическая
Терморезисторы (рис. 2.1, б) под воздействием температуры Т
нелинейно изменяют электрическое сопротивление R (рис. 2.2, б) из-за
повышения диффузионной проводимости, обусловленной увеличением
амплитуды колебаний атомов решетки кристалла [1]. С уменьшением
температуры снижается потенциальная энергия атомов и кинетическая
энергия свободных носителей заряда, которые заполняют вакантные
ковалентные связи. ПП терморезисторы конструируют из оксидов ме-
таллов, имеющих отрицательный температурный коэффициент сопро-
тивления (ТКС). Выпускаются также терморезисторы, имеющие в не-
котором, сравнительно узком интервале температур положительный
ТКС, и называемые позисторы.
Фоторезисторы (рис. 2.1, в) изменяют сопротивление под дейст-
вием освещенности [1, 2]. При действии излучения Ф с достаточной
энергией фотонов на полупроводник происходит генерация пар под-
вижных носителей заряда (электронов и дырок) и уменьшение сопро-
тивления R фоторезистора (рис. 2.2, б). При отсутствии облучения фо-
торезисторы имеют высокое темновое сопротивление, которое умень-
шается пропорционально освещенности. Фоторезисторы имеют ли-
нейную вольт-амперную (рис. 2.2, а) и нелинейную энергетическую
характеристику (рис. 2.2, в).
Достоинством ПП резисторов является широкий диапазон обмена
энергии и высокая чувствительность преобразования сигнала. К недос-
таткам относятся нелинейность процессов обмена и преобразования, а
также наличие температурного, временного и параметрического дрейфа.
T
[°К]
[Ом]
R
U
I
а)
б)
1
10
4
10
3
10
2
470
37
0
270
10
Ф
0
I
в)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- …
- следующая ›
- последняя »
