ВУЗ:
Составители:
24
2.2. Вентили
Полупроводниковые вентили [1, 2, 19] используют эффект одно-
сторонней проводимости p–n-перехода, возникающего на границе ма-
териалов с электронной (n – негатив) и дырочной (p – позитив) прово-
димостью. Переход образуется положительными и отрицательными
ионами атомов решетки полупроводников за счет их обеднения
основными носителями заряда (электронами и дырками), диффунди-
рующими в материал с инверсной проводимостью. Диффузионный ток
рекомбинирует пары электрон-дырка и уравновешивается электриче-
ским полем ионов обедненного слоя, называемого p–n-переходом
(рис. 2.3, а).
Рис. 2.3. Структуры и зонная модель диода:
а – без источника питания;
б – при прямом (сверху) и обратном (снизу) включениях.
Обозначения: – электроны и + дырки, ионы положительные,
отрицательные, ε
µ
– уровень Ферми, ϕ – потенциал
А
К
E
+ + p
+
+
+ + +
+
+
n - - -
- - -
- - -
- - -
n - - + + p
- - - +
+ +
- - + +
- - - + + +
I
p
I
n
ε
µ
а)
б)
n - - + + p
- - -
+ + +
- -
+ +
- - - + + +
–
ϕ
+ϕ
+ϕ
–
ϕ
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- …
- следующая ›
- последняя »
