Схемотехника аналоговых интегральных схем. Глинкин Е.И. - 87 стр.

UptoLike

Составители: 

87
Обратное смещение U
0
25,710
–3
В и определяется постоянной
заряда 1,610
–19
Кл, постоянной Больцмана 1,410
–23
Дж/К и абсолютной
температурой 273 К.
Уравнение логарифмирующего вентиля часто представляют об-
ратной зависимостью
(
)
U U I I= +
0 0
1ln .
На практике
I I
0
>> 1, так как прямой ток
I
на несколько порядков
больше обратного тока I
0
, по этой причине вольт-амперную и обрат-
ную характеристики логарифмирующего диодов и симметричных
транзисторов представляют выражениями:
(
)
I I U U
=
0 0
exp ,
(5.13)
(
)
U U I I
=
0 0
ln
. (5.14)
Анализ выражений (5.13) и (5.14) показывает экспоненциальный ха-
рактер вольт-амперной и логарифмический вид обратной характери-
стик полупроводниковых приборов [1, 2, 9].
На рисунке 5.10, а представлен делитель напряжения, состоящий
из последовательного соединения диода V и резистора R. Схеме соот-
ветствует граф на рис. 5.10, б, по которому для узла U
вых
справедливо
уравнение по I закону Кирхгофа [9, 16]:
U Y I Y
вых
=
+
0,
причем в соответствии с (5.13)
[
]
I I U U U=
0 0
exp ( ) ,
вх вых
так как через диод V ток обусловлен потенциалом между входным и
выходным напряжениями.
Рис. 5.10. Пассивный экспоненциатор
0
Y
U
вх
U
вых
I
б)
R
V
U
вх
U
вых
а)